웨이퍼 레벨 BGA MOS 커패시터 100 pF 30V 마이크로 범프 준비 플립 칩 본드 와이어 프리 RF 조립용 칩

HFC101S30V100 웨이퍼 레벨 BGA MOS 커패시터 — 100 pF 30V 플립 칩 준비 완료

요약: HFC101S30V100은 고저항 플로트 존 실리콘에 열 성장 SiO2 유전체를 사용하여 제작된 100 pF, 30 V 단층 MOS 커패시터입니다. 플립 칩, 본드 와이어 프리 조립을 위한 웨이퍼 레벨 마이크로 범프(BGA) 종단이 제공되며, 비정질 SiO2 유전체 구조는 쌍극자 피로를 나타내지 않습니다. DC 차단, RF 바이패스 및 고밀도 RF 및 전력 모듈의 커플링에 사용됩니다. 맞춤형 커패시턴스 값, 범프 피치 및 칩 형상도 제공됩니다.

주요 사실

웨이퍼 레벨 BGA / 마이크로 범프 준비 완료

이 장치는 웨이퍼 레벨 언더 범프 금속화(UBM)와 구리 기둥 마이크로 범프 및 SnAg 솔더 캡이 함께 제공되므로 표준 플립 칩 본더로 직접 배치하고 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 및 BGA 리플로우 라인에서 처리할 수 있습니다. 모든 다이는 웨이퍼 레벨 전기 테스트를 받으며, 추적성을 위해 디지털 웨이퍼 맵을 사용할 수 있습니다.

• SnAg 솔더 캡이 있는 구리 기둥 마이크로 범프, 80 µm 피치 (맞춤형 피치 가능)
• 최대 260 °C 피크까지 리플로우 호환; 습기 민감도 레벨 MSL 1
• 디지털 웨이퍼 맵을 사용한 100% 웨이퍼 레벨 전기 테스트

본드 와이어 프리 조립을 위한 플립 칩 준비 완료

대칭 범프 금속화를 통해 두 단자가 한 면에 배치되므로, 커패시터는 금 와이어 본드 없이 라미네이트, 세라믹 또는 실리콘 인터포저에 직접 부착될 수 있습니다. 본드 와이어를 제거하면 일반적으로 직렬 인덕턴스를 지배하는 상호 연결이 제거되고, 와이어 본드 힐 피로 고장 모드도 제거됩니다. 이는 짧고 반복 가능한 RF 리턴 경로와 낮고 안정적인 상호 연결 인덕턴스가 필요한 설계에 적합합니다.

• 금 와이어 본드 불필요
• 내재 칩 ESL6 GHz
• C4 및 구리 기둥 플립 칩 본더와 호환

응용 분야

• 웨이퍼 레벨 RF 프런트 엔드 모듈 및 위상 배열 빔포머 타일
• 하이브리드 마이크로 회로의 플립 칩 DC 블록 및 RF 커플링
• RF 전력 증폭기용 바이어스 네트워크 디커플링
• 멀티 칩 모듈의 고밀도 바이패스
• 5G 스몰 셀 및 백홀 무선 프런트 엔드
• 낮고 안정적인 ESL가 필요한 테스트 및 측정 프런트 엔드