Waferniveau BGA MOS condensatoren 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip chip voor banddraadloze RF-assemblage

HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS condensator

Kortom:De HFC101S30V100 is een 100 pF, 30 V enkellagige MOS-capacitor die is gebouwd op hoogweerstand float-zone silicium met een thermisch gegroeide SiO2-dielektrische.Het wordt geleverd met wafer-level micro-bump (BGA) terminatie voor flip-chipHet wordt gebruikt voor DC-blokkering, RF-bypass en koppeling in dichte RF- en stroommodules.Persoonlijke capaciteitswaarden, hobbelstand en chipgeometrie zijn beschikbaar.

Belangrijkste feiten

Wafer-level BGA / Micro-Bump Ready

Het apparaat wordt geleverd met wafer-level under-bump metallisatie (UBM) en een koperen pilaar micro-bump met een SnAg soldeerdop,zodat het rechtstreeks kan worden geplaatst door standaard flip-chip binders en verwerkt in wafer-level verpakkingen (WLP) en BGA reflow lijnenElke die krijgt een elektrische test op waferniveau, en een digitale waferkaart is beschikbaar voor traceerbaarheid.

• Micro-bump van koperen pilaar met SnAg-soldeerkap, pitch van 80 μm (op maat gemaakte pitch beschikbaar)
• Terugstroomcompatibel tot een piek van 260 °C; vochtgevoeligheid MSL 1
• 100% elektrische test op waferniveau met digitale waferkaart

Flip-chip klaar voor banddraad-vrije assemblage

Omdat beide terminals op één zijde worden geplaatst door middel van symmetrische bumpmetallisatie, kan de condensator direct worden bevestigd aan laminaat-, keramische of siliciuminterposers zonder gouddraadbindingen.Het verwijderen van banddraden verwijdert de interconnect die normaal gesproken de reeksinductiviteit domineertDit is geschikt voor ontwerpen die korte, herhaalbare RF-terugkeerpaden en een lage, stabiele interconnectinductiviteit nodig hebben.

• Geen gouden draadobligaties vereist
• Intrinsieke chip ESL < 0,05 nH; serieresonansie > 6 GHz
• met een vermogen van niet meer dan 50 W

Toepassingen

• Radiofrequentiemodules voor de voorzijde van wafers en fasenbundelstraalvormertegels
• Flip-chip DC-blokken en RF-koppeling in hybride microcircuits
• Bias-netwerkontkoppeling voor RF-versterkers
• High-density bypass in multi-chipmodules
• 5G small-cell en backhaul radio front-ends
• Test- en meetfronten waarvoor een lage, stabiele ESL vereist is