Condensateurs MOS BGA au niveau de la tranche 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip pour assemblage RF sans fil de liaison

Condensateur BGA MOS de niveau de gaufre HFC101S30V100 100 pF 30V prêt à être plié

En résumé:Le HFC101S30V100 est un condensateur MOS monocouche à 100 pF et 30 V construit sur du silicium à zone flottante à haute résistivité avec un diélectrique SiO2 cultivé thermiquement.Il est fourni avec une terminaison de micro-bump (BGA) au niveau de la galette pour flip-chipIl est utilisé pour le blocage en courant continu, le contournement RF et le couplage dans les modules RF denses et de puissance.Valeur de capacité personnalisée, les hauteurs des bosses et les géométries des puces sont disponibles.

Faits clés

BGA au niveau de la gaufre / Micro-Bump Ready

L'appareil est livré avec une métallisation sous-bump (UBM) au niveau de la gaufre et une micro-bump à colonne de cuivre avec un capuchon de soudure SnAg,afin qu'il puisse être placé directement par des liants standard à flip-chip et traité dans des emballages à niveau de plaquette (WLP) et des lignes de reflux BGAChaque matrice reçoit un test électrique au niveau de la galette, et une carte numérique de la galette est disponible pour la traçabilité.

• Micro-boucle en cuivre avec capuchon de soudure SnAg, hauteur de 80 μm (hauteur personnalisée disponible)
• Compatible avec le reflux jusqu'à un pic de 260 °C; niveau de sensibilité à l'humidité MSL 1
• Test électrique à 100% au niveau de la galette avec carte numérique de la galette

Flip-Chip prêt pour l'assemblage sans câbles

Étant donné que les deux bornes sont placées sur une face par métallisation de bosse symétrique, le condensateur peut être fixé directement à des interposants en stratifié, en céramique ou en silicium sans liaisons de fil d'or.La suppression des fils de liaison supprime l'interconnexion qui domine normalement l'inductivité en série, et élimine également le mode de défaillance par fatigue du talon des fils. Cela convient aux conceptions nécessitant des chemins de retour RF courts et répétables et une inductance d'interconnexion faible et stable.

• Aucune obligation de fil d'or n'est requise
• Puce intrinsèque ESL < 0,05 nH; résonance en série > 6 GHz
• Compatible avec les liants à flip-chip à base de C4 et de cuivre

Applications

• Modules frontaux RF au niveau des plaquettes et carreaux de faisceau-formateur à matrice phasée
• Blocs de courant continu à puce et couplage RF dans les microcircuits hybrides
• Découpling du réseau de biais pour les amplificateurs de puissance RF
• Le bypass à haute densité dans les modules multi-puces
• 5G pour les petites cellules et les backhaul radio
• Les fronts d'essai et de mesure nécessitant une ESL basse et stable