Πυκνωτές MOS σε Επίπεδο Wafer BGA 100 pF 30V Έτοιμοι για Micro-Bump Flip-Chip Chip για Συναρμολόγηση RF Χωρίς Καλώδιο Σύνδεσης

Πυκνωτής MOS HFC101S30V100 Wafer-Level BGA — 100 pF 30V Έτοιμος για Flip-Chip

Με λίγα λόγια: Ο HFC101S30V100 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS 100 pF, 30 V κατασκευασμένος σε πυρίτιο υψηλής αντίστασης float-zone με θερμικά αναπτυγμένο διηλεκτρικό SiO2. Παρέχεται με τερματισμό μικρο-συγκόλλησης (BGA) σε επίπεδο wafer για συναρμολόγηση flip-chip, χωρίς καλώδια συγκόλλησης, και η άμορφη αρχιτεκτονική διηλεκτρικού SiO2 δεν παρουσιάζει κόπωση διπόλου. Χρησιμοποιείται για μπλοκάρισμα DC, παράκαμψη RF και σύζευξη σε πυκνές μονάδες RF και ισχύος. Διατίθενται προσαρμοσμένες τιμές χωρητικότητας, βήματα συγκόλλησης και γεωμετρίες τσιπ.

Βασικά Στοιχεία

Έτοιμο για Wafer-Level BGA / Micro-Bump

Η συσκευή παραδίδεται με μεταλλουργία κάτω από τη συγκόλληση (UBM) σε επίπεδο wafer και μικρο-συγκόλληση πυλώνα χαλκού με κάλυμμα συγκόλλησης SnAg, ώστε να μπορεί να τοποθετηθεί απευθείας από τυπικούς συγκολλητές flip-chip και να επεξεργαστεί σε γραμμές συσκευασίας σε επίπεδο wafer (WLP) και αναρροής BGA. Κάθε τσιπ υποβάλλεται σε ηλεκτρικό έλεγχο σε επίπεδο wafer και είναι διαθέσιμος ψηφιακός χάρτης wafer για ιχνηλασιμότητα.

• Μικρο-συγκόλληση πυλώνα χαλκού με κάλυμμα συγκόλλησης SnAg, βήμα 80 µm (διαθέσιμο προσαρμοσμένο βήμα)
• Συμβατό με αναρροή έως 260 °C κορυφή. επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία MSL 1
• 100% ηλεκτρικός έλεγχος σε επίπεδο wafer με ψηφιακό χάρτη wafer

Έτοιμο για Flip-Chip για Συναρμολόγηση Χωρίς Καλώδια Συγκόλλησης

Επειδή και οι δύο ακροδέκτες τοποθετούνται σε μία όψη μέσω συμμετρικής μεταλλουργίας συγκόλλησης, ο πυκνωτής μπορεί να συνδεθεί απευθείας σε laminate, κεραμικά ή πυριτικά ενδιάμεσα χωρίς καλώδια συγκόλλησης χρυσού. Η αφαίρεση των καλωδίων συγκόλλησης αφαιρεί τη σύνδεση που συνήθως κυριαρχεί στην επαγωγική αντίσταση σειράς, και αφαιρεί επίσης τον τρόπο αστοχίας κόπωσης της φτέρνας του καλωδίου συγκόλλησης. Αυτό ταιριάζει σε σχεδιασμούς που χρειάζονται σύντομες, επαναλήψιμες διαδρομές επιστροφής RF και χαμηλή, σταθερή επαγωγική αντίσταση σύνδεσης.

• Δεν απαιτούνται καλώδια συγκόλλησης χρυσού
• Εγγενής επαγωγική αντίσταση τσιπ ESL 6 GHz
• Συμβατό με συγκολλητές flip-chip C4 και πυλώνα χαλκού

Εφαρμογές

• Μονάδες μπροστινού άκρου RF σε επίπεδο wafer και πλακίδια διαμορφωτή δέσμης φασικής διάταξης
• DC μπλοκ flip-chip και σύζευξη RF σε υβριδικά μικροκυκλώματα
• Αποσύζευξη δικτύου πόλωσης για ενισχυτές ισχύος RF
• Παράκαμψη υψηλής πυκνότητας σε μονάδες πολλαπλών τσιπ
• Μπροστινά άκρα ραδιοφώνου 5G small-cell και backhaul
• Μπροστινά άκρα δοκιμών και μετρήσεων που απαιτούν χαμηλή, σταθερή ESL