BGA MOS Kondensatory 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip do montażu bezprzewodowego

HFC101S30V100 Kondensator MOS BGA na poziomie wafla — 100 pF 30V gotowy do montażu flip-chip

W skrócie: HFC101S30V100 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 100 pF i napięciu 30 V, wykonany na krzemie typu float-zone o wysokiej rezystywności z dielektrykiem SiO2 naniesionym termicznie. Jest dostarczany z mikro-wyprowadzeniami BGA na poziomie wafla do montażu flip-chip, bez drutów łączących, a jego amorficzna architektura dielektryka SiO2 nie wykazuje zmęczenia dipolowego. Jest stosowany do blokowania DC, obejścia RF i sprzęgania w gęstych modułach RF i zasilania. Dostępne są niestandardowe wartości pojemności, rozstawy wyprowadzeń i geometrie chipów.

Kluczowe fakty

Gotowy do montażu BGA / mikro-wyprowadzeń na poziomie wafla

Urządzenie jest dostarczane z metalizacją podwyprowadzeniową (UBM) na poziomie wafla i mikro-wyprowadzeniem typu miedziany filar z kapturkiem lutowniczym SnAg, dzięki czemu może być bezpośrednio umieszczane przez standardowe bondery flip-chip i przetwarzane w liniach pakowania na poziomie wafla (WLP) i lutowania reflow BGA. Każdy die przechodzi elektryczne testy na poziomie wafla, a cyfrowa mapa wafla jest dostępna do śledzenia.

• Mikro-wyprowadzenie typu miedziany filar z kapturkiem lutowniczym SnAg, rozstaw 80 µm (dostępny niestandardowy rozstaw)
• Kompatybilny z lutowaniem reflow do 260 °C; poziom wrażliwości na wilgoć MSL 1
• 100% elektrycznych testów na poziomie wafla z cyfrową mapą wafla

Gotowy do montażu flip-chip bez drutów łączących

Ponieważ oba zaciski są umieszczone na jednej powierzchni poprzez symetryczną metalizację wyprowadzeń, kondensator może być bezpośrednio przymocowany do laminatów, ceramiki lub interposerów krzemowych bez złotych drutów łączących. Usunięcie drutów łączących eliminuje połączenie, które zazwyczaj dominuje w indukcyjności szeregowej, a także eliminuje tryb awarii zmęczeniowej piętki drutu łączącego. Nadaje się to do projektów wymagających krótkich, powtarzalnych ścieżek powrotnych RF i niskiej, stabilnej indukcyjności połączenia.

• Nie są wymagane złote druty łączące
• Wewnętrzna indukcyjność szeregowa chipa (ESL)6 GHz
• Kompatybilny z bondery flip-chip C4 i miedzianymi filarami

Zastosowania

• Moduły front-end RF na poziomie wafla i płytki formujące wiązkę fazową
• Blokady DC i sprzęganie RF w układach hybrydowych
• Odsprzęganie sieci zasilania dla wzmacniaczy mocy RF
• Wysokogęstościowe obejście w modułach wieloczipowych
• Front-endy radiowe 5G małych komórek i backhaul
• Front-endy testowe i pomiarowe wymagające niskiej, stabilnej ESL