Capacitores MOS BGA em Nível de Wafer 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip para Montagem RF sem Fio de Bondagem

HFC101S30V100 Capacitor MOS BGA Nível de Wafer — 100 pF 30V Pronto para Flip-Chip

Em resumo: O HFC101S30V100 é um capacitor MOS de camada única de 100 pF e 30 V construído em silício float-zone de alta resistividade com um dielétrico de SiO2 crescido termicamente. Ele é fornecido com terminação micro-bump (BGA) em nível de wafer para montagem flip-chip, sem bondwire, e sua arquitetura dielétrica de SiO2 amorfo não apresenta fadiga de dipolo. É usado para bloqueio DC, bypass de RF e acoplamento em módulos densos de RF e de potência. Valores de capacitância personalizados, passos de bump e geometrias de chip estão disponíveis.

Principais Fatos

Pronto para BGA / Micro-Bump em Nível de Wafer

O dispositivo é entregue com metalização sob o bump (UBM) em nível de wafer e um micro-bump de pilar de cobre com uma capa de solda SnAg, para que possa ser colocado diretamente por bonders flip-chip padrão e processado em linhas de embalagem em nível de wafer (WLP) e reflow BGA. Cada die recebe teste elétrico em nível de wafer, e um mapa digital de wafer está disponível para rastreabilidade.

• Micro-bump de pilar de cobre com capa de solda SnAg, passo de 80 µm (passo personalizado disponível)
• Compatível com reflow até 260 °C de pico; nível de sensibilidade à umidade MSL 1
• Teste elétrico 100% em nível de wafer com mapa digital de wafer

Pronto para Flip-Chip para Montagem sem Bondwire

Como ambos os terminais são colocados em uma face através de metalização de bump simétrica, o capacitor pode ser fixado diretamente em interposers de laminado, cerâmica ou silício sem bondwires de ouro. A remoção de bondwires remove a interconexão que normalmente domina a indutância série, e também remove o modo de falha por fadiga do calcanhar do bondwire. Isso é adequado para projetos que necessitam de caminhos de retorno de RF curtos e repetíveis e uma indutância de interconexão baixa e estável.

• Não são necessários bondwires de ouro
• ESL intrínseca do chip 6 GHz
• Compatível com bonders flip-chip C4 e de pilar de cobre

Aplicações

• Módulos front-end de RF em nível de wafer e tiles de beamformer de array em fase
• Bloqueios DC flip-chip e acoplamento de RF em microcircuitos híbridos
• Desacoplamento de rede de bias para amplificadores de potência de RF
• Bypass de alta densidade em módulos multi-chip
• Front-ends de rádio 5G small-cell e backhaul
• Front-ends de teste e medição que requerem ESL baixa e estável