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Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HFC101S30V100
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Chipgröße:

0,50 x 0,50 x 0,15 mm

Betriebstemperatur:

-55°C bis +125°C

Anpassung:

Kundenspezifische Kapazität 10 pF-1000 pF, Bump-Pitch und Chip-Geometrie verfügbar

Bump-Typ:

Kupfersäule mit SnAg-Lötkappe

Bump Pitch:

80 µm (kundenspezifisch erhältlich)

Feuchtigkeitsempfindlichkeit:

MSL 1 (J-STD-020)

RoHS:

Konform (EU 2015/863)

Hervorheben:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

,

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

,

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

Produkt-Beschreibung

HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and

Umbauten:

SLC Kondensator

Wirkstoffverbindungskondensator

Einlager-Keramikkondensator

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