جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
هک کننده های MOS
Created with Pixso.

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

نام تجاری: Hoan
شماره مدل: HFC101S30V100
MOQ: 10 عدد
شرایط پرداخت: L/C، D/A، D/P، T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
شانشی، چین
گواهی:
ISO 9001:2015, RoHS
اندازه تراشه:
0.50 x 0.50 x 0.15 میلی متر
دمای عملیاتی:
-55 درجه سانتی گراد تا +125 درجه سانتی گراد
سفارشی سازی:
ظرفیت خازنی سفارشی 10 pF-1000 pF، بامپیچ و هندسه قالب موجود است
نوع ضربه:
ستون مسی با کلاهک لحیم کاری SnAg
زمین دست انداز:
80 میکرومتر (سفارشی در دسترس)
سطح حساسیت به رطوبت:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
مطابق (EU 2015/863)
برجسته کردن:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

,

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

,

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

توضیحات محصول
HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and