পণ্যের বিবরণ

Created with Pixso. বাড়ি Created with Pixso. পণ্য Created with Pixso.
MOS ক্যাপাসিটর
Created with Pixso.

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

ব্র্যান্ডের নাম: Hoan
মডেল নম্বর: HFC101S30V100
MOQ: 10 টুকরা
পেমেন্ট শর্তাবলী: এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি
বিস্তারিত তথ্য
উৎপত্তি স্থল:
শানসি, চীন
সাক্ষ্যদান:
ISO 9001:2015, RoHS
চিপ আকার:
0.50 x 0.50 x 0.15 মিমি
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-55°C থেকে +125°C
কাস্টমাইজেশন:
কাস্টম ক্যাপাসিট্যান্স 10 pF-1000 pF, বাম্প পিচ এবং ডাই জ্যামিতি উপলব্ধ
বাম্প টাইপ:
SnAg সোল্ডার ক্যাপ সহ কপার পিলার
বাম্প পিচ:
80 µm (কাস্টম উপলব্ধ)
আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
অনুগত (EU 2015/863)
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

,

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

,

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

পণ্যের বর্ণনা
HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and
সম্পর্কিত পণ্য