รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
เครื่องปรับความแรง MOS
Created with Pixso.

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

ชื่อแบรนด์: Hoan
หมายเลขรุ่น: HFC101S30V100
ขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน: L/C,D/A,D/P,T/T
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
มณฑลส่านซีประเทศจีน
ได้รับการรับรอง:
ISO 9001:2015, RoHS
ขนาดชิป:
0.50 x 0.50 x 0.15 มม
อุณหภูมิในการทำงาน:
-55°ซ ถึง +125°ซ
การปรับแต่ง:
ความจุแบบกำหนดเอง 10 pF-1000 pF มีรูปทรงแบบ Bump Pit และ Die
ประเภทกันกระแทก:
เสาทองแดงพร้อมฝาบัดกรี SnAg
สนามบั๊ม:
80 µm (กำหนดเองได้)
ระดับความไวต่อความชื้น:
เอ็มเอสแอล 1 (J-STD-020)
เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS:
เป็นไปตามข้อกำหนด (EU 2015/863)
เน้น:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

,

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

,

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

คําอธิบายสินค้า
HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and
สินค้าที่เกี่ยวข้อง