تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. منتجات Created with Pixso.
مكثفات MOS
Created with Pixso.

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

اسم العلامة التجارية: Hoan
رقم الموديل: HFC101S30V100
موك: 10 قطع
شروط الدفع: خطاب الاعتماد، د/أ، د/ف، تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
شنشي، الصين
إصدار الشهادات:
ISO 9001:2015, RoHS
حجم رقاقة:
0.50 × 0.50 × 0.15 ملم
درجة حرارة التشغيل:
-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
التخصيص:
تتوفر سعة مخصصة تبلغ 10 pF-1000 pF ودرجة اهتزاز وهندسة القالب
نوع عثرة:
عمود نحاسي مع غطاء لحام SnAg
عثرة الملعب:
80 ميكرومتر (متاح حسب الطلب)
مستوى حساسية الرطوبة:
إم إس إل 1 (J-STD-020)
بنفايات:
متوافق (الاتحاد الأوروبي 863/2015)
إبراز:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

,

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

,

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

وصف المنتج
HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and