chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Capacitor MOS
Created with Pixso.

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Tên thương hiệu: Hoan
Số mô hình: HFC101S30V100
MOQ: 10 miếng
Điều khoản thanh toán: L/C,D/A,D/P,T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Thiểm Tây, Trung Quốc
Chứng nhận:
ISO 9001:2015, RoHS
Kích thước chip:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Nhiệt độ hoạt động:
-55°C đến +125°C
Tùy chỉnh:
Điện dung tùy chỉnh 10 pF-1000 pF, hình dạng bước nhảy và khuôn có sẵn
Loại va chạm:
Trụ đồng có nắp hàn SnAg
Cú va chạm:
80 µm (có sẵn tùy chỉnh)
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
Tuân thủ (EU 2015/863)
Làm nổi bật:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

,

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

,

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

Mô tả sản phẩm
HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and