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Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

ब्रांड का नाम:	Hoan
मॉडल नंबर:	एचएफसी101एस30वी100
MOQ:	10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें:	एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी

विस्तृत जानकारी

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उत्पत्ति के प्लेस:

शानक्सी, चीन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015, RoHS

चिप आकार:

0.50 x 0.50 x 0.15 मिमी

परिचालन तापमान:

-55°C से +125°C

अनुकूलन:

कस्टम कैपेसिटेंस 10 पीएफ-1000 पीएफ, बम्प पिच और डाई ज्योमेट्री उपलब्ध है

टक्कर प्रकार:

SnAg सोल्डर कैप के साथ तांबे का खंभा

बम्प पिच:

80 µm (कस्टम उपलब्ध)

नमी संवेदनशीलता स्तर:

एमएसएल 1 (जे-एसटीडी-020)

RoHS:

आज्ञाकारी (ईयू 2015/863)

प्रमुखता देना:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

उत्पाद का वर्णन

HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and

टैग:

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