HongAn Microwave Co., Ltd.

ελληνικά

বাংলা

हिन्दी



Do domu

O nas

Profil przedsiębiorstwa

Wycieczka po fabryce

Kontrola jakości

Często zadawane pytania

Produkty

Induktor stożkowy

Induktory szerokopasmowe

Cewka powietrzna

cewka powietrzna

Kondensatory MOS

Jednostronowy kondensator

Nowości

Skontaktuj się z nami

Cytat

szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Kondensatory MOS

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Nazwa marki:	Hoan
Numer modelu:	HFC101S30V100
MOQ:	10 sztuk
Warunki płatności:	L/C, D/A, D/P, T/T

Informacje szczegółowe

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Shaanxi, Chiny

Orzecznictwo:

ISO 9001:2015, RoHS

Rozmiar układu:

0,50 x 0,50 x 0,15 mm

Temperatura pracy:

-55°C do +125°C

Personalizacja:

Dostępna jest niestandardowa pojemność 10 pF–1000 pF, skok nierówności i geometria matrycy

Typ uderzenia:

Kolumna miedziana z końcówką lutowniczą SnAg

Skok podbicia:

80 µm (dostępne na zamówienie)

Poziom czułości na wilgoć:

MSL 1 (J-STD-020)

RoHS:

Zgodny (UE 2015/863)

Podkreślić:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

,

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

,

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

Opis produktu

HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and

Znaków:

Kondensator SLC

Kondensator z możliwością lutowania drutowego

Jednowarstwowy kondensator ceramiczny

ZAŁĄCZONE PRODUKTY

Kondensatory MOS o wysokim napięciu przebicia, miniaturowe, o niskim prądzie upływu, 50V, kondensator do połączeń drutowych, kondensator chipowy SLC

Kondensatory MOS o wysokim napięciu przebicia, miniaturowe, o niskim prądzie upływu, 50V, kondensator do połączeń drutowych, kondensator chipowy SLC

Najlepszą cenę

Niestandardowy kondensator cząsteczki RF Kondensator przestrzeń utwardzona promieniowanie płaskie Q Odpowiedź cyfrowa mapa płytki

Niestandardowy kondensator cząsteczki RF Kondensator przestrzeń utwardzona promieniowanie płaskie Q Odpowiedź cyfrowa mapa płytki

Najlepszą cenę

Szybkie prototypowanie kondensatorów MOS elastyczna dostosowanie 10 pF kondensator przyjazny dla środowiska łańcuch dostaw

Szybkie prototypowanie kondensatorów MOS elastyczna dostosowanie 10 pF kondensator przyjazny dla środowiska łańcuch dostaw

Najlepszą cenę

Płaski kondensator Q o niskim ESR, ultra niskiej absorpcji dielektrycznej, ceramiczny kondensator chipowy z eutektycznym tyłem

Płaski kondensator Q o niskim ESR, ultra niskiej absorpcji dielektrycznej, ceramiczny kondensator chipowy z eutektycznym tyłem

Najlepszą cenę

Kondensatory MOS o bardzo niskich stratach, doskonała stabilność TCC VCC, kondensator 100pF 50V o wysokim Q w RF

Kondensatory MOS o bardzo niskich stratach, doskonała stabilność TCC VCC, kondensator 100pF 50V o wysokim Q w RF

Najlepszą cenę