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Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Name: Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HFC101S30V100
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	Hoan
모델 번호:	HFC101S30V100
MOQ:	10개
지불 조건:	L/C,D/A,D/P,T/T

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국 산시성

인증:

ISO 9001:2015, RoHS

칩 크기:

0.50x0.50x0.15mm

작동 온도:

-55°C ~ +125°C

맞춤화:

맞춤형 정전 용량 10pF~1000pF, 범프 피치 및 다이 형상 사용 가능

범프 유형:

SnAg 납땜 캡이 있는 구리 기둥

범프 피치:

80 µm (맞춤형 가능)

습도 감지 수준:

MSL 1(J-STD-020)

RoHS 규제:

준수(EU 2015/863)

강조하다:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

제품 설명

HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and

태그:

원추형 인덕터

광대역 인덕터

에어 코어 인덕터

공기 코일 인덕터

MOS 콘덴시터

단층 콘덴시터

원추형 인덕터

광대역 인덕터

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MOS 콘덴시터

단층 콘덴시터

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Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

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