Schnelle Prototypen MOS-Kondensatoren Flexible Anpassung 10 pF Kondensator Umweltfreundliche Lieferkette Konformer Chip

HACC100S10V101 10pF 100V MOS-Kondensator Flexible Anpassung Schnelle Prototyping Umweltschonende Lieferkette Compliant Chip

Flexible Anpassung und schnelles Prototyping: Beschleunigung der Entwicklung von HF-Modulen mit konfigurierbaren Kondensatorlösungen

Die Entwicklung des HF-Moduls verläuft in einem vorhersehbaren Rhythmus: Konzept, Simulation, Prototyp, Test, Iteration.Jeder Tag, an dem Sie auf eine passive Komponente warten, ist ein Tag, an dem Ihr Design auf der Bank bleibt, anstatt vor Ihrem Kunden.. DieHACC100S10V101 a 10pF ±10%, 100V einseitiger einlagiger Keramikkondensator (SLC) wird durch eine reaktionsschnelle Prototyping- und Anpassungsinfrastruktur unterstützt, die Ihren Entwicklungszyklus von Monaten auf Wochen verkürzen soll.

Konfigurationsmöglichkeiten: Eine Plattform, mehrere Varianten

Die HACC100S10V101 dient als Grundkonstruktion innerhalb einer breiteren konfigurierbaren Plattform.Diese Plattform ermöglicht es Ihnen, wichtige Parameter einzustellen und gleichzeitig den gleichen physischen Fußabdruck zu erhalten, Metallisierungssystem und Montageverfahren:

Diese Konfigurationsmöglichkeit wird durch das einlagige Herstellungsprozess MIM (Metal-Insulator-Metal) auf einem hochresistenten Siliziumsubstrat ermöglicht.Im Gegensatz zu MLCCs, bei denen die Änderung der Kapazität die gesamte Multi-Layer-Elektroden-Stack-Konstruktion erfordert, die HACC-Plattform passt die Kapazität ausschließlich durch den Elektrodenbereich auf der Photolithographie-Maske an eine Designänderung, deren Umsetzung auf Waferebene Stunden, nicht Wochen in Anspruch nimmt.

Rapid Prototyping: Von der Spezifikation bis zur Auswertung der Proben in 3-4 Wochen

Unser Schnellprototyping-Workflow ist für Geschwindigkeit konzipiert, ohne Qualität oder Rückverfolgbarkeit zu beeinträchtigen:

1. Woche 1  Überprüfung der Spezifikationen und Maskenprogrammierung:Nach Erhalt Ihrer Zielkapazität, Toleranz und dielektrischen Anforderungen bestätigt unser Anwendungs-Team die Machbarkeit innerhalb von 2 Werktagen.Die Fotolithographie-Maske wird dann für Standardfußabdrücke programmiert, das ist ein digitales Masken-Design-Update mit null Werkzeugkosten.
2. Woche 2 Waferherstellung:Hochwiderstandsfähige Float-Zone-Silizium-Wafer werden durch trockene thermische Oxidation (SiO2-Dielektrium), TiW/Au- oder Pt/TiW/Au-Sputtering (je nach Elektrodenseite), Photolithographie, Lift-off-Muster,und Gleichstromprobe auf Waferebene (100% Kapazität), Leckage und Abbruchspannung).
3. Woche 3  Zersplitterung, Kontrolle und Verpackung:Die Waffeln werden zerlegt, mit einer Vergrößerung von 50* visuell untersucht und in leitfähige Waffel- oder Gelpackungen verpackt.
4. Woche 3 bis 4 Versand:Bewertungsproben (in der Regel 25-50 Würfel in Waffelpackungen) werden mit dem vollständigen Konformitätszertifikat und den verfügbaren Charakterisierungsdaten (S-Parameter, C-V, TCC) versendet.

Bei Standardkatalogwerten (einschließlich des 10pF HACC100S10V101) werden Auswertungsproben innerhalb von 1-2 Wochen aus dem Lager geliefert.

Umweltfreundliche Herstellung und Einhaltung der Lieferkette

Die modernen Lieferketten für Elektronik müssen mehrere sich überlappende regulatorische Rahmenbedingungen erfüllen, und passive Komponenten sind keine Ausnahme.Der HACC100S10V101 ist mit vollständiger Dokumentation zur Unterstützung der regulatorischen Vorlage Ihres Produkts hergestellt:

• Richtlinie 2011/65/EU der EU über RoHS (einschließlich der Änderung 2015/863):Das Siliziumsubstrat, der SiO2-Dielectric, die TiW-Schranke, die Pt-Schranke und die Au-Elektroden sind von Natur aus frei von allen eingeschränkten Stoffen (Blei, Quecksilber, Cadmium, sechswertiges Chrom, PBB, PBDE,und alle vier Phthalate ­ DEHPEs sind keine Ausnahmen erforderlich.
• EU-REACH-Verordnung (EG) Nr. 1907/2006Die vollständige SVHC-Deklaration (Stoffe of Very High Concern) ist für jede Produktionssparte verfügbar.Au ?? enthält keine der Stoffe der Kandidatenliste in meldepflichtigen Konzentrationen.
• Halogenfrei nach IEC 61249-2-21:Chlorgehalt < 900 ppm, Bromgehalt < 900 ppm, Gesamthalogene < 1500 ppm. Die gespritzte Dünnschichtmetallisierung und das keramische Substrat sind von Natur aus halogenfrei;Bei der Herstellung werden keine bromierten Flammschutzmittel oder chlorierten Lösungsmittel verwendet.
• Schadstoffe und Schadstoffe, die in der Verpackung enthalten sind:Das bei der Elektrodensputterung verwendete Gold stammt aus LBMA-zertifizierten Raffinerien.
• ISO 9001:2015:Die Produktionsstätte unterhält die aktuelle ISO 9001:2015-Zertifizierung mit jährlichen Überwachungsprüfungen.Die Rückverfolgbarkeit der Charge vom Waferstart bis zur endgültigen Sichtprüfung wird in der Produktionsdatenbank aufrechterhalten..

Die Konformitätsdokumentation ist nicht nachträglich, sie ist in das Los-Reisende-System integriert.HalogenanteilFür Kunden, die ISO 14001 oder kundenspezifische Qualitätsprüfungen durchlaufen, entfällt dieses Dokumentationspaket die Notwendigkeit unabhängiger Materialprüfungen.

Zuverlässige einseitige Margin-Konstruktion für die Montage mit hohem Volumen

Der HACC100S10V101 verfügt über eineEinseitig begrenzt (Marge)Diese einfache geometrische Eigenschaft bietet drei praktische Herstellungsvorteile:

• Epoxidhosenshorts:Bei der Verkleidung mit elektrolytisch leitendem Silber-Epoxid (H20E) blockiert der keramische Rand physikalisch, dass überschüssiges Epoxid von der Seitenwand zur oberen Elektrode klettert.nicht eine Beschichtung es kann nicht zerkratzt werden, aufgelöst oder durch thermischen Kreislauf abgebaut.
• Referenz zur Ausrichtung der Drahtbindung:Die Grenze zwischen Gold und Keramik sorgt für einen scharfen optischen Kontrast für automatisierte Drahtbinder-Vision-Systeme.Gewährleistung einer einheitlichen Anleiheplatzierung ohne manuelle Ausrichtung.
• Optimierung des Bodenbodens:Im Gegensatz zu doppelseitigen Grenzchips hält die HACC100S10V101 die untere Elektrode vollständig metallisiert (grenzlos), wodurch der Bodenkontaktbereich maximiert wird.Diese Konstruktionswahl setzt die niedrigstmögliche HF-Bodenimpedanz im Vordergrund.

Wichtige elektrische Spezifikationen

Anwendungsbereiche

• Rapid RF Module Prototyping:Standard 10pF-Werte werden in 1-2 Wochen aus dem Lager geliefert; kundenspezifische Kapazitäten (± 5% Toleranz, alternative Dielektrika, rechteckige Formfaktoren) in 3-4 Wochen.Kompatibel mit allen Standard-Die-Attachment- und Drahtverbindungsplattformen einschließlich Datacon, Finetech und Tresky automatisierte Systeme.
• 5G FR2, 6G Forschungs- und mmWave-Teilsysteme:Ultra-niedrige ESR und eine einlagige Koaxial-Architektur unterstützen eine saubere Gleichstromblockade über 40 GHz + für aufstrebende 6G-Sub-THz-Prototypenplattformen.Benutzerdefinierte Kapazitätswerte von 5pF bis 500pF verfügbar auf dem gleichen 0.50mm Fußabdruck.
• GaN/GaAs/InP-Leistungsverstärker und LNA-Biasnetze:100V-Rating mit >250V DWV bietet robusten Vorsprung für 28-50V GaN-Drain-Bias-Entkopplung.
• Medizinische Elektronik:Biokompatibles Materialsystem (Au, Pt, Si, SiO2, TiW). Die ISO 9001-Lot-Rückverfolgbarkeit unterstützt die Anforderungen der FDA 21 CFR Part 820 Design-History-Datei.Halogenfreie Zertifizierung erfüllt die Anforderungen der IEC 60601-1-9 für medizinische elektrische Geräte.
• Fahrzeugmodule (ADAS, Radar, V2X):-55°C bis +125°C Betriebsbereich mit AEC-Q200-kompatiblen Qualifikationsdaten.
• Optische Empfänger (100G/400G/800G):10pF Gleichstromblock mit <0,1Ω ESR für die 25-112Gbaud PAM4-Signalisierung. 0,15mm Höhe passt in die hermetischen TOSA/ROSA-Moduldeckel. Die S-Parameter-Daten pro Los unterstützen die Dokumentation der Compliance-Matrix.
• Industrie-IoT und Edge Computing RF:Die vollständige Einhaltung der Vorschriften (RoHS, REACH, halogenfrei) unterstützt die CE/UKCA-Kennzeichnung und den globalen Marktzugang.

Richtlinien für die Montage

• Die Anlage:Leitfähige Epoxide (H20E, 120°C/30min) oder AuSn-Eutektische (300-320°C, N2/H2).
• Wirbeverbindung:25 μm Au thermosonische Kugelbindung (Stufe 120-150 °C, > 3,0 g Zug).
• Die Platzierungskräfte:Halten Sie die Anschlagkraft ≤ 50 gf mit einer konformen Spitze (Silicon oder ESD-sicheres Elastomer).Überprüfung der Platzierungsgenauigkeit innerhalb von ± 25 μm mittels automatisierter Sichtbereinigung.
• AufbewahrungWaffelpackung oder Gelpackung, 20-25°C, 40-60% RH, Stickstoffschrank. MSL 1 ¢ unbegrenzte Lebensdauer bei ≤ 30°C/85% RH.

Anmerkung zur MIL-STD-883-Konformität:Wire bond pull strength test übersteigt 3,0 g pro MIL-STD-883 Methode 2011.7, überprüft pro Wafer-Lot auf der Probe aus der Mitte und vier Eckenpositionen.

Kontaktieren Sie uns mit Ihren Zielspezifikationen für eine schnelle Machbarkeitsbewertung, Vorlaufzeitschätzung und Angebot.