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Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Name: Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HFC101S30V100
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Hoan
モデル番号:	HFC101S30V100
MOQ:	10個
支払い条件:	L/C、D/A、D/P、T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

陝西省、中国

証明:

ISO 9001:2015, RoHS

チップサイズ:

0.50×0.50×0.15mm

動作温度:

-55℃～+125℃

カスタマイズ:

カスタム静電容量 10 pF ～ 1000 pF、バンプピッチおよびダイ形状が利用可能

バンプの種類:

SnAgはんだキャップ付きの銅ピラー

バンプピッチ:

80 μm (カスタム可能)

湿度感度レベル:

MSL 1 (J-STD-020)

RoHS:

準拠 (EU 2015/863)

ハイライト:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

製品の説明

HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and

札:

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ

単層コンデンサ

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ

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Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

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