λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HFC101S30V100
MOQ: 10 τεμάχια
Όροι πληρωμής: L/C,D/A,D/P,T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS
Μέγεθος τσιπ:
0,50 x 0,50 x 0,15 χλστ
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55°C έως +125°C
Προσαρμογή:
Προσαρμοσμένη χωρητικότητα 10 pF-1000 pF, διαθέσιμα βήμα πρόσκρουσης και γεωμετρία μήτρας
Τύπος πρόσκρουσης:
Χάλκινη κολόνα με καπάκι συγκόλλησης SnAg
Bump Pitch:
80 μm (προσαρμοσμένο διαθέσιμο)
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
Συμμορφώνεται (ΕΕ 2015/863)
Επισημαίνω:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

,

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

,

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

Περιγραφή προϊόντων
HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and