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Condensateurs MOS

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip for Bondwire-Free RF Assembly

Nom De La Marque:	Hoan
Numéro De Modèle:	HFC101S30V100
Quantité Minimale De Commande:	10 pièces
Conditions De Paiement:	LC, D/A, D/P, T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shaanxi, Chine

Certification:

ISO 9001:2015, RoHS

Taille de la puce:

0,50x0,50x0,15mm

Température de fonctionnement:

-55°C à +125°C

Personnalisation:

Capacité personnalisée 10 pF-1 000 pF, pas de bosse et géométrie de matrice disponibles

Type de bosse:

Pilier en cuivre avec capuchon à souder SnAg

Pas de bosse:

80 µm (personnalisé disponible)

Niveau de sensibilité à l'humidité:

MSL1 (J-STD-020)

RoHS:

Conforme (UE 2015/863)

Mettre en évidence:

Wafer-Level BGA MOS Capacitor 100 pF

,

30V Micro-Bump Ready MOS Capacitor

,

Flip-Chip MOS Capacitor for RF Assembly

Description de produit

HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Capacitor — 100 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is supplied with wafer-level micro-bump (BGA) termination for flip-chip, bondwire-free assembly, and its amorphous SiO2 dielectric architecture does not exhibit dipole fatigue. It is used for DC blocking, RF bypass and coupling in dense RF and

Étiquettes:

Condensateur SLC

Condensateur soudable par fil

Condensateur céramique monocouche

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