Détails des produits

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Condensateurs MOS
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Condensateurs MOS à haute tension de rupture Ultra miniature à faible fuite 50V Condensateur liable au fil SLC Chip

Condensateurs MOS à haute tension de rupture Ultra miniature à faible fuite 50V Condensateur liable au fil SLC Chip

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HACC101S10V500
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: LC, D/A, D/P, T/T, Western Union
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shannxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015
Gamme de fréquences:
1 kHz à 1 MHz
Densité des pièges d'interface:
1e10 cm^-2 eV^-1
Plage de capacité:
1 pF à 100 pF
Courant de fuite:
< 1 nA
Type de substrat:
Silicium de type P
Plage de température:
-40°C à 125°C
Structure:
Métal-Oxyde-Semi-conducteur
Mettre en évidence:

Condensateurs MOS à haute tension de rupture

,

Condensateur à faible fuite liable au fil

,

Condensateurs MOS ultra miniatures de 50 V

Description de produit

Condensateur MOS HACC101S10V500 100pF 50V à haute tension de claquage, faible fuite, soudable par fil, ultra-miniature, SLC


Fiabilité de l'assemblage de condensateurs au niveau de la puce : tension de claquage, intégrité des liaisons filaires et rôle de la miniaturisation

Lorsqu'un condensateur à puce tombe en panne sur le terrain, la cause profonde est rarement un simple surdimensionnement électrique. Plus souvent, la défaillance remonte à l'un des trois mécanismes : claquage diélectrique accéléré par une marge de tension insuffisante, fatigue de la liaison filaire sous cyclage thermique, ou dommages physiques lors de l'assemblage automatisé de puces ultra-miniatures. Le HACC101S10V500 — unCondensateur céramique multicouche (SLC) à double bordure, 100pF ±20%, 50V DC — est conçu spécifiquement pour éliminer ces trois modes de défaillance grâce à des marges de conception conservatrices, une optimisation métallurgique et une architecture robuste à double bordure.

Marge de claquage diélectrique : pourquoi un détarage de 2,5* est important

Le HACC101S10V500 est fabriqué avec undiélectrique céramique ultra-stable de classe I COG/NPO (C0G/NP0)optimisé pour une haute résistance diélectrique. La tension continue nominale est de 50V, et chaque puce subit un test de production à 100% à une tension considérablement élevée pour vérifier l'intégrité diélectrique. Ce détarage conservateur offre une marge de sécurité minimale de 2,5* — dépassant la directive de détarage de 2* recommandée par les normes de fiabilité de l'industrie pour les condensateurs céramiques dans les applications à haute fiabilité.

Pour le concepteur de circuits, cette marge se traduit par une robustesse dans le monde réel : les transitoires d'alimentation, les réflexions de désadaptation de charge et les décalages de polarisation DC qui pourraient mettre à l'épreuve un condensateur de 16V ou 25V sont absorbés avec une marge substantielle. Dans les réseaux de polarisation de drain des amplificateurs de puissance GaN fonctionnant à 28-50V, le HACC101S10V500 assure un blocage DC et un contournement RF fiables sans nécessiter d'empilage en série de plusieurs condensateurs de plus basse tension — réduisant le nombre de composants, la complexité de l'assemblage et l'empilement des tolérances cumulatives.

Le diélectrique COG/NPO contribue également à la stabilité de la tension. Contrairement aux diélectriques ferroélectriques de classe II (X7R, X5R) où la capacité s'effondre sous polarisation DC lorsque les domaines de titanate de baryum sont bloqués, le COG/NPO est paraélectrique — la valeur de capacité est stable de 0V à la pleine tension nominale. Cela signifie que l'impédance de contournement que vous concevez à 0V de polarisation DC est la même que celle que votre circuit voit à pleine tension de fonctionnement.

Métallisation TaN/TiW/Ni/Au : Ingénierie de l'interface de liaison filaire

Sur une puce mesurant seulement 0,50*0,50 mm, la zone de la pastille de liaison filaire est généralement de 200*200 µm ou moins. À cette échelle, la qualité métallurgique de la pastille de liaison détermine directement le rendement de l'assemblage. Le HACC101S10V500 est doté d'une pile de couches minces pulvérisées à quatre couches —TaN/TiW/Ni/Au (minimum 2,5 µm Au) — qui a été affinée sur plusieurs générations de produits pour fournir des liaisons filaires thermosoniques en or cohérentes et à haute résistance.

Voici la justification technique pour chaque couche, du substrat au fil de liaison :

Couche Matériau Épaisseur Objectif
Fondation TaN Base pulvérisée Le nitrure de tantale forme la liaison chimique la plus solide connue bloquant les oxydes avec le diélectrique céramique. Sous un cyclage thermique rapide (-55°C à +125°C, ΔT=180°C), cette couche d'adhérence empêche la délamination de l'ensemble de la pile d'électrodes — un mode de défaillance qui se manifeste par un circuit ouvert après des tests de choc thermique.
Bloc de diffusion TiW Barrière pulvérisée Le titane-tungstène crée une barrière amorphe dense empêchant la diffusion des contaminants du substrat dans la couche d'or. Sans cette barrière, les atomes de silicium ou de cuivre migreraient dans l'or au fil du temps, formant des composés intermétalliques fragiles à l'interface de liaison.
Bouclier de soudure Ni Sacrificiel pulvérisé Le nickel sert de barrière anti-lixiviation standard de l'industrie. Lors du refusion de la soudure eutectique AuSn à 300-320°C, la soudure fondue dissout agressivement l'or non protégé. La couche de Ni est insoluble dans les soudures sans plomb et avec plomb, empêchant complètement le pillage de l'or et préservant l'intégrité de la jointure de soudure.
Surface de liaison Au ≥2,5 µm La couche d'or d'au moins 2,5 µm remplit trois fonctions essentielles : (1) un tampon épais et ductile qui absorbe 40-100 mW d'énergie de soudage ultrasonique sans transmettre de contrainte dommageable au substrat céramique ; (2) une surface sans oxydation qui ne nécessite ni flux ni préparation de surface avant le soudage ; (3) un volume d'or suffisant pour un soudage thermosonique fiable par boule-point et par coin.

La même pile TaN/TiW/Ni/Au est appliquée symétriquement aux électrodes supérieure et inférieure, ce qui signifie que l'électrode inférieure bénéficie d'une protection identique contre la diffusion intermétallique de l'époxy argenté et le lessivage de la soudure lors de la fixation de la puce.

Architecture à double bordure : protection simultanée des deux électrodes

Une caractéristique distinctive du HACC101S10V500 est saconception à double bordure (marge). Contrairement aux condensateurs à bordure simple ou sans bordure, cette puce intègre une bordure céramique non métallisée et exposée sur les surfaces supérieure et inférieure. L'avantage pratique pour les ingénieurs d'assemblage est double :

Marge inférieure — Confinement de l'époxy : Lors de la fixation de la puce par époxy argenté conducteur (H20E), la bordure céramique inférieure forme un anneau de confinement physique autour de l'électrode en or. Lorsque la pince de préhension et de placement appuie sur la puce, l'excès d'époxy s'écoule vers l'extérieur mais ne peut pas dépasser la marge de la bordure. Le résultat : zéro cas de pont d'époxy de l'électrode inférieure, remontant le flanc de la puce, jusqu'à la pastille d'or supérieure — un mode de défaut courant dans les condensateurs à puce sans bordure qui génère des défaillances latentes de court-circuit.

Marge supérieure — Définition de la zone de liaison : La bordure céramique supérieure crée un bord de référence clairement visible pour les soudeuses de fils automatisées. La pointe de soudage ou la capillary de la boule doit atterrir à au moins 25 µm à l'intérieur du bord de l'électrode en or — la marge céramique fournit une limite optique sans ambiguïté pour le système de vision machine. Les liaisons placées trop près du bord de l'électrode risquent de microfissurer la céramique ; la marge élimine cette ambiguïté et permet un soudage à haute vitesse sans inspection manuelle entre les pièces.

Cette structure symétrique offre également un avantage opérationnel : les deux faces de la puce sont fonctionnellement identiques, éliminant les exigences d'orientation haut/bas lors de la prise et du placement. Dans une ligne de production traitant des millions de placements par an, l'élimination d'une seule étape d'inspection visuelle par composant produit des gains de débit mesurables.

Ultra-compact 0,50*0,50*0,15 mm : petite taille, grand impact

À0,50*0,50*0,15 mm (20*20*6 mil), le HACC101S10V500 occupe seulement 0,25 mm² de surface de support — atteignant une densité de capacité permise par la formulation céramique High-K (K≈140 pour les variantes X7R). Cet encombrement représente une réduction de surface de 4* par rapport aux SLC standard de 30 mil et une réduction de 2* par rapport aux MLCC CMS 0402. Pour les modules RF haute densité où chaque micron carré compte — formateurs de faisceaux à antenne réseau phasée, transceivers multicanaux, bancs de filtres — cet avantage de densité se traduit directement par plus de fonctionnalités par module.

Leprofil ultra-bas de 0,15 mm (6 mil)est tout aussi significatif. Les MLCC 0402 standard mesurent 0,50 mm de haut ; le HACC101S10V500 mesure moins d'un tiers de cette hauteur. Dans les modules hybrides hermétiques avec un faible dégagement de couvercle, dans les assemblages multi-puces empilés verticalement et dans les appareils grand public à facteur de forme mince, cet avantage en hauteur Z élimine le condensateur comme composant le plus haut sur le substrat — permettant souvent une réduction d'épaisseur d'une génération complète.

Meilleures pratiques pour un assemblage à haut rendement

  • Fixation de la puce : Appliquer un micro-point contrôlé d'époxy argenté conducteur (Epotek H20E) à l'aide d'un micro-distributeur pneumatique. Cuire à 120°C pendant 30 minutes avec une vitesse de montée inférieure à 10°C/sec. La bordure céramique inférieure contient naturellement l'excès d'époxy — aucun contrôle volumétrique de précision au-delà de ±20% n'est nécessaire.
  • Soudage de fils : Fil Au de 25 µm (1 mil), soudage thermosonique par boule ou par coin à une température de platine de 120-150°C. Le point d'atterrissage de la liaison doit être ≥25 µm du bord de l'électrode en or supérieure — la marge céramique fournit la référence visuelle pour ce dégagement. Paramètres de soudage recommandés : force de 15-35 gf, ultrasons de 40-100 mW, durée de 10-50 ms.
  • Inspection : Inspection visuelle post-soudage à un grossissement de 50*. Rejeter les liaisons avec une déformation du pad >25%, un cratérisation visible, ou un placement à moins de 25 µm de la marge de l'électrode. Vérifier que le cordon d'époxy inférieur est contenu dans la bordure céramique — aucun époxy visible sur les flancs de la puce.
  • Stockage : Packs gaufrés ou gel-packs dans une armoire purgée à l'azote à 20-25°C, 40-60% HR. Durée de conservation garantie de 1 an ; durée de vie illimitée sur site à ≤30°C/85%HR (MSL 1).

Principaux domaines d'application

  • Modules d'amplificateurs de puissance RF : Blocage DC et contournement d'alimentation dans les étages de sortie HEMT GaN-sur-SiC fonctionnant à une tension de drain de 28-50V. La marge de tension de 2,5* et le diélectrique COG/NPO fournissent un contournement fiable sans affaissement de capacité sous pleine polarisation.
  • Systèmes d'antennes réseau phasées : Couplage inter-étages de 100pF avec faible ESR et résistance à l'arrachement des fils constante sur des milliers de liaisons par panneau de réseau. La double bordure permet un assemblage entièrement automatisé au débit maximal.
  • Blocs DC de transceivers optiques (QSFP-DD 100G/400G) : Le profil ultra-bas de 0,15 mm s'intègre dans les couvercles des modules TOSA/ROSA hermétiques. Le faible DF assure une dégradation minimale de l'intégrité du signal aux débits de données PAM4 de 25-56 Gbaud.
  • Front-ends d'instrumentation de précision : TCC et VCC proches de zéro maintiennent la précision de calibration sur la température sans nécessiter de tables de compensation logicielle.
  • Radar automobile et communication V2X : La conformité paramétrique complète de -55°C à +125°C couvre l'électronique sous le capot et montée à l'extérieur avec une marge substantielle au-delà des exigences AEC-Q200 Grade 1.
  • Modules RF IoT et Edge Computing : L'empreinte compacte et l'intégration par liaison filaire permettent le co-packaging au niveau de la puce avec des circuits intégrés de transceiver dans des nœuds de capteurs et des passerelles de périphérie contraints par l'espace.

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