Condensateur à faible résistance à la Q-réaction (ESR) à absorption diélectrique ultra-faible

Condensateur MOS personnalisé Métallisation de l'arrière-plan euthétique Réponse Q plate Ultra faible absorption diélectrique

HACC-CUSTOM-BM: condensateur MOS optimisé pour l'eutexie avec réponse Q plate et absorption diélectrique ultra-faible

Métallisation de la face arrière personnalisée pour la soudure eutétique

Le HACC-CUSTOM-BM propose des piles de métallisation arrière sélectionnables par le client, optimisées pour les procédés d'attache sous pression eutectique.sélectionné en fonction de votre budget thermique d'assemblage et de vos exigences de fiabilité:

• AuSn (80Au/20Sn):Température eutétique 280°C. Norme de l'industrie pour les circuits hybrides de haute fiabilité. TiW-Ni-Au arrière-plan avec 3-15μm AuSn pré-forme. Résistance au cisaillement > 2,5 kg/mm2 sur plaque d'or.
• AuGe (88Au/12Ge):Température eutétique 356°C. Budget thermique plus élevé pour les processus de reflux ultérieurs. Faible taux d'oxydation pendant le stockage.
• AuSi (97Au/3Si):Température eutétique 363°C. Espace thermique maximal pour les flux d'assemblage en plusieurs étapes.

Toutes les piles arrière comprennent une barrière de diffusion TiW (2000Å) pour empêcher l'interdiffusion or-silicium, et une couche de barrière Ni (500-2000Å) pour le soudage AuSn pour empêcher la consommation de Sn par la couche Au.L'humidité de la soudure dépasse 95% de la surface couverte, avec une évacuation par rayons X vérifiée inférieure à 5%, assurant une conductivité thermique et électrique uniforme sur l'ensemble de l'interface de fixation..

Réponse à fréquence Q plate

Les condensateurs MOS standard présentent un facteur Q qui varie considérablement avec la fréquence Les préjugésLe HACC-CUSTOM-BM offre une réponse à Q plat conçue:Q maintenu à l'intérieur de ± 5% sur une bande spécifiée par le client de 100 MHz à 10 GHz, avec un Q roll-off contrôlé à < 10% par décennie au-delà du plateau.Ceci est réalisé par le dopage du substrat sur mesure (contrôle de la dépendance de la fréquence de la résistance en série) et l'optimisation de la géométrie de l'électrode (contrôle de l'effet de peau et de l'encombrement du courant)Le résultat est un condensateur dont le Q est prévisible sur toute la bande d'opération, sans pics de Q, sans falaises de Q et sans surprises lors des tests de prototypes.

Absorption diélectrique ultra-faible et stockage de charge zéro

L'absorption diélectrique (DA) ′′ l'"effet mémoire" où un condensateur conserve une charge résiduelle après décharge ′′ est un paramètre critique pour les circuits d'échantillonnage et de maintien, les intégrateurs de précision,et les amplificateurs sensibles à la charge où la charge retenue doit représenter avec précision la tension échantillonnéeLe diélectrique SiO2 cultivé thermiquement dans HACC-CUSTOM-BM atteint un DA < 0,05% à 1kHz et < 0,02% à 1MHz, parmi les plus bas de toutes les technologies de condensation.Combiné avec une sortie piézoélectrique nulle (pas de couplage mécanique-électrique), à la différence des MLCC avec diélectriques au titanate de baryum) et une sensibilité microfonique nulle, le HACC-CUSTOM-BM est idéal pour les applications analogiques de précision où l'intégrité de la charge est primordiale.

Principales spécifications

Applications

• Les circuits hybrides et les lignes d'assemblage eutectiques AuSn/AuGe/AuSi sélection de l'arrière-plan par budget thermique du procédé
• Réseaux d'appariement RF à large bande ‡ réponse Q plate pour une impédance constante sur des bandes de plusieurs octaves
• Circuits d'échantillonnage et de maintien de précision DA < 0,05% pour l'intégrité de la charge, sortie piézoélectrique nulle
• Préamplificateurs sensibles à la charge L'absorption diélectrique proche de zéro élimine les erreurs de mémoire

Contactez-nous pour vos préférences en alliage euctétique, votre profil Q cible et vos exigences en matière d'absorption diélectrique.