| Nom De La Marque: | Hoan |
| Numéro De Modèle: | HACC100S10V101 |
| Quantité Minimale De Commande: | 10 pièces |
| Conditions De Paiement: | LC, D/A, D/P, T/T, Western Union |
Le HACC101S10V500 est spécifiquement conçu et qualifié pour les environnements spatiaux où la dose ionisante totale (TID) dégrade les structures MOS standard. L'oxyde de grille durci aux radiations — utilisant des formulations de SiO₂ nitruré ou d'Al₂O₃ durci — minimise la génération de pièges d'interface induite par les radiations et l'accumulation de charge d'oxyde fixe, les deux mécanismes principaux qui provoquent un décalage de la tension de seuil et une dérive de la capacité dans les dispositifs MOS irradiés.
La qualification selon la norme ESCC 22900 démontre une dureté TID >100 krad(Si) pour la formulation standard et >300 krad(Si) avec oxyde durci, avec un décalage inductance-capacité maintenu en dessous de 5% à TID maximum. La stabilité du recuit post-irradiation est vérifiée : <1% de décalage supplémentaire après 168 heures à 100°C. L'architecture du condensateur MOS est intrinsèquement immunisée contre les effets d'événements uniques (SEE) — aucun chemin de verrouillage n'existe (c'est un dispositif passif à deux bornes), aucun nœud sensible aux SEU n'est présent, et la rupture de grille par événement unique est empêchée par l'épaisseur du diélectrique. Cette immunité SEE est un avantage architectural fondamental par rapport aux dispositifs semi-conducteurs actifs et est vérifiée par conception, et non par des tests d'échantillons.
Les sous-systèmes RF qualifiés pour l'espace nécessitent une impédance constante sur la fréquence — et les radiations ne doivent pas dégrader cette cohérence. Le HACC101S10V500 offre une réponse Flat-Q conçue avec un Q maintenu dans une plage de ±5% sur la bande spécifiée par le client, et une dégradation du Q vérifiée <3% après une exposition de 100 krad TID. Cela garantit que les performances de votre réseau d'adaptation, de votre filtre ou de votre réseau de polarisation restent stables, de la vérification avant lancement à la fin de la vie de la mission.
L'assemblage de qualité spatiale nécessite une traçabilité complète au niveau de la puce et un tri automatisé par grade électrique. Le HACC101S10V500 fournit une carte de tranche numérique complète au format XML KRF standard de l'industrie, compatible avec l'automatisation de fab SECS-II et les outils de layout GDSII. Chaque puce est classée par valeur de capacité, ESR, facteur Q et — de manière unique pour la variante RH — par grade de test TID de l'échantillon de qualification de radiation au niveau de la tranche. La carte de tranche s'intègre directement avec les trieurs de puces pick-and-place automatisés : extraction de puce par code de classe de la carte, traçabilité complète des puces connues comme bonnes (KGD) par classe, et documentation au niveau du lot adaptée à la soumission au comité d'examen des matériaux (MRB) de l'ESA/NASA.
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Dureté TID | >100 krad(Si) standard, >300 krad(Si) durci, ESCC 22900 |
| Immunité SEE | Immunisé — aucun chemin de verrouillage, aucun nœud SEU, aucune rupture de grille |
| Dégradation du Q post-TID | <3% après 100 krad |
| Stabilité post-irradiation | <1% de décalage L après 168h de recuit à 100°C |
| Réponse Flat-Q | platitude ±5%, stable aux radiations |
| Format de carte de tranche | XML KRF, GDSII, SECS-II, classement par C/ESR/Q/TID |
| Capacité | 5pF–10 000pF |
| Type de diélectrique | SiO₂ nitruré durci aux radiations, Al₂O₃ durci |
| Température de fonctionnement | -55°C à +125°C, paramétrique complet post-radiation |
| Certification | ISO 9001:2015, qualifié ESA ESCC, LAT de qualité spatiale |
Contactez-nous avec vos exigences TID, votre profil de mission et vos préférences de format de carte de tranche. Les prototypes de condensateurs MOS durcis aux radiations qualifiés ESA ESCC avec carte de tranche numérique sont expédiés sous 7 à 10 jours ouvrables.