回路保護用超低ESL 680pF 50V MOSコンデンサ ソフトブレークダウン耐性単層チップ

この製品について

単層MOSコンデンサは、フローティングゾーンシリコン基板上に熱酸化成長したSiO2誘電体を持つ平面型メタル・インシュレータ・セミコンダクタコンデンサです。電流経路は内部電極やビアのない単一の垂直バリアであるため、デバイスは非常に低い等価直列インダクタンスと、温度およびバイアスにわたる非常に小さな静電容量のばらつきを示します。このモデルは、保護および高電流デカップリングの役割を意図した、より大きなフットプリントのバリアントです。₂誘電体。電流経路は内部電極やビアのない単一の垂直バリアであるため、デバイスは非常に低い等価直列インダクタンスと、温度およびバイアスにわたる非常に小さな静電容量のばらつきを示します。このモデルは、保護および高電流デカップリングの役割を意図した、より大きなフットプリントのバリアントです。

• 製品タイプ：単層MOSコンデンサ / ワイヤボンディング可能なチップコンデンサ
• モデル：HACC681S50V750  |  ブランド：Hoan
• 静電容量：680 pF ±10%  |  定格電圧：50 V DC
• チップサイズ：0.75 × 0.75 × 0.20 mm  |  誘電体：COG/NPO (クラスI)
• 実装：ワイヤボンディング、または導電性エポキシ / AuSn / 銀焼結ダイアタッチ

低寄生インダクタンスと過渡応答

コンデンサが高速過渡現象中にレールを安定させる能力は、最初の数ナノ秒で示すインピーダンスによって決まります。これらの時間スケールでは、インピーダンスは静電容量よりもESLによって支配されます。単層構造は電流ループを0.20 mmの垂直経路に収束させるため、過渡応答の利点が得られます。

• ESLは0.05 nH未満で、同等の多層セラミックチップよりも約1桁低くなっています。
• 1 GHzでESRは0.05 Ω未満であるため、クランプは過渡現象の端で誘導性ではなく抵抗性として動作します。
• 自己共振周波数はチップレベルで1.5 GHz以上であり、興味のある帯域幅全体で部品を静電容量性として保ちます。
• 誘電体がパラエレクトリックであるため、DCバイアスによる低下や圧電的なリンギングはありません。
• 0.75 mmパッド上の複数の並列ボンディングは、1 A rmsを超えるパルス電流をサポートします。

ホットプラグインラッシュパスまたは広帯域ギャップパワー段に供給するバイアスネットワークでは、実用的な結果として、電圧変動を乗り切るためにコンデンサを直列にスタッキングすることなく、同値の多層部品よりもクランプオーバーシュートが低く、セトリングテールが短くなります。

カスタマイズオプション

このモデルは固定カタログアイテムではなく設定可能なプラットフォームであるため、特定のレール、波形、またはフットプリントに合わせて部品を再指定できます。また、購入またはカタログ分類の要件に応じて、同じプラットフォームをカタログ構造内の別の製品ファミリーに再割り当てすることもできます。

典型的なアプリケーション

• 通信およびデータコムラインカードのホットプラグおよびインラッシュ制限ネットワーク
• 12～48 Vレールのロードダンプおよびサージクランプ
• 28～50 V電源の広帯域ギャップパワー段のバイアスデカップリング
• 高dV/dtのスイッチングコンバータの入出力フィルタリング
• 産業用電源、計測、計装ボードでの過渡抑制
• コンパクトモジュールでの広帯域RFバイパスおよびDCブロッキング