details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
MOS-condensatoren
Created with Pixso.

Ultra-lage ESL 680 pF 50V MOS-condensatoren zacht-doorbraak tolerante enkellaagse chip voor circuitbescherming

Ultra-lage ESL 680 pF 50V MOS-condensatoren zacht-doorbraak tolerante enkellaagse chip voor circuitbescherming

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HACC681S50V750
MOQ: 10 stuks
Betalingsvoorwaarden: T/T,L/C,D/A,D/P
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
Shaanxi, China
Certificering:
ISO 9001:2015
Dielektrisch type:
COG/NPO (Klasse I, para-elektrisch)
Substraat:
Silicium met vlotterzone, >1000 Ohm·cm
DC-biascoëfficiënt (VCC):
<10 ppm/V
Lekstroom:
<10 nA @ 25°C, <100 nA @ 125°C (nominale spanning)
Bovenste metallisatie:
TaN/TiW/Ni/Au, ≥2,5 µm Au
Maatwerk:
Capaciteit, spanning, geometrie, diëlektricum, metallisatie en productfamilietoewijzing configureerb
Markeren:

680 pF MOS-condensatoren

,

50V enkellaagse chipcondensatoren

,

zacht-doorbraak tolerante condensatoren

Productomschrijving

Wat dit product is

Een enkele laag MOS-condensator is een planaire metaal-isator-halfgeleidercondensator gebouwd op een float-zone siliciumsubstraat met een thermisch gegroeide SiO2 diëlektricum. Omdat het stroompad een enkele verticale barrière is zonder interne elektroden en zonder via's, presenteert het apparaat een zeer lage equivalente serielinductie en een zeer kleine spreiding in capaciteit over temperatuur en bias. Dit model is de variant met een grotere voetafdruk, bedoeld voor bescherming en ontkoppelingsrollen met hoge stroomsterkte.

  • Producttype: enkele laag MOS-condensator / wire-bondable chipcondensator
  • Model: HACC681S50V750  |  Merk: Hoan
  • Capaciteit: 680 pF ±10%  |  Nominale spanning: 50 V DC
  • Chipafmeting: 0,75 × 0,75 × 0,20 mm  |  Diëlektricum: COG/NPO (Klasse I)
  • Montage: draadbonding, of geleidende epoxy / AuSn / gesinterde zilveren die attach


Lage parasitaire inductie en transiënte respons

Het vermogen van een condensator om een rail stabiel te houden tijdens een snelle transiënt wordt bepaald door de impedantie die deze in de eerste paar nanoseconden presenteert, en op die tijdschalen wordt de impedantie gedomineerd door ESL in plaats van door capaciteit. De constructie met enkele laag brengt de stroomlus samen tot een verticaal pad van 0,20 mm, wat de transiënte voordeel oplevert.

  • Intrinsieke ESL onder 0,05 nH, ongeveer een orde van grootte lager dan een vergelijkbare meerlaagse keramische chip
  • ESR onder 0,05 Ω bij 1 GHz, dus de klem gedraagt zich resistief in plaats van inductief aan de rand van de transiënt
  • Zelfresonantiefrequentie boven 1,5 GHz op chipniveau, waardoor het onderdeel capacitief blijft over de bandbreedte van interesse
  • Geen DC-bias derating en geen piëzo-elektrische ringing, omdat het diëlektricum para-elektrisch is
  • Meerdere parallelle verbindingen op het 0,75 mm pad ondersteunen pulsstromen boven 1 A rms

In een hot-plug inrush-pad of een biasnetwerk dat een wide-bandgap power stage voedt, is het praktische resultaat een lagere klem-overshoot en een kortere settling tail dan een meerlaags onderdeel met dezelfde waarde, zonder condensatoren in serie te stapelen om de spanningsuitslag te overleven.


Aanpassingsopties

Dit model is een configureerbaar platform in plaats van een vast catalogusitem, dus het onderdeel kan opnieuw worden gespecificeerd voor een specifieke rail, golfvorm of voetafdruk. Hetzelfde platform kan ook worden toegewezen aan een andere productfamilie in uw catalogusstructuur wanneer uw inkoop- of catalogusclassificatie dit vereist.


Parameter Standaard Beschikbare aanpassing
Capaciteit 680 pF ±10% 10 pF tot 10.000 pF; ±5% of nauwere tolerantie
Nominale spanning 50 V DC 6,3 V tot 500 V DC; 1000 V met gestapeld diëlektricum
Chipafmetingen 0,75 × 0,75 × 0,20 mm 0,25 × 0,25 mm tot 5,0 × 5,0 mm; rechthoekig tot 4:1 aspect ratio
Diëlektricum COG/NPO (Klasse I) X7R (Klasse II), high-K, aangepaste laagstapels
Bovenste metallisatie TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au Tot 5,0 µm Au; aluminium optie
Achterkant metallisatie TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au Alleen Au; AuSn of AuGe pre-depositie; zilver-sinterbare afwerking
Ontwerparchitectuur Dubbelzijdig begrensd Enkelzijdig begrensd of randloos
Prototype levertijd 3-4 weken Versneld 1-2 weken voor standaardwaarden


Typische toepassingen

  • Hot-plug en inrush-begrenzingsnetwerken in telecom- en datacom-linecards
  • Load-dump en surge-klemmen op 12-48 V rails
  • Bias-ontkoppeling voor wide-bandgap power stages op 28-50 V voedingen
  • Ingangs- en uitgangsfiltering in schakelende converters met hoge dV/dt
  • Transiënte onderdrukking in industriële voedingen, meet- en instrumentatiekaarten
  • Breedband RF-omleiding en DC-blokkering in compacte modules


Ultra-lage ESL 680 pF 50V MOS-condensatoren zacht-doorbraak tolerante enkellaagse chip voor circuitbescherming