| Merknaam: | Hoan |
| Modelnummer: | HACC681S50V750 |
| MOQ: | 10 stuks |
| Betalingsvoorwaarden: | T/T,L/C,D/A,D/P |
Een enkele laag MOS-condensator is een planaire metaal-isator-halfgeleidercondensator gebouwd op een float-zone siliciumsubstraat met een thermisch gegroeide SiO2 diëlektricum. Omdat het stroompad een enkele verticale barrière is zonder interne elektroden en zonder via's, presenteert het apparaat een zeer lage equivalente serielinductie en een zeer kleine spreiding in capaciteit over temperatuur en bias. Dit model is de variant met een grotere voetafdruk, bedoeld voor bescherming en ontkoppelingsrollen met hoge stroomsterkte.
Het vermogen van een condensator om een rail stabiel te houden tijdens een snelle transiënt wordt bepaald door de impedantie die deze in de eerste paar nanoseconden presenteert, en op die tijdschalen wordt de impedantie gedomineerd door ESL in plaats van door capaciteit. De constructie met enkele laag brengt de stroomlus samen tot een verticaal pad van 0,20 mm, wat de transiënte voordeel oplevert.
In een hot-plug inrush-pad of een biasnetwerk dat een wide-bandgap power stage voedt, is het praktische resultaat een lagere klem-overshoot en een kortere settling tail dan een meerlaags onderdeel met dezelfde waarde, zonder condensatoren in serie te stapelen om de spanningsuitslag te overleven.
Dit model is een configureerbaar platform in plaats van een vast catalogusitem, dus het onderdeel kan opnieuw worden gespecificeerd voor een specifieke rail, golfvorm of voetafdruk. Hetzelfde platform kan ook worden toegewezen aan een andere productfamilie in uw catalogusstructuur wanneer uw inkoop- of catalogusclassificatie dit vereist.
| Parameter | Standaard | Beschikbare aanpassing |
| Capaciteit | 680 pF ±10% | 10 pF tot 10.000 pF; ±5% of nauwere tolerantie |
| Nominale spanning | 50 V DC | 6,3 V tot 500 V DC; 1000 V met gestapeld diëlektricum |
| Chipafmetingen | 0,75 × 0,75 × 0,20 mm | 0,25 × 0,25 mm tot 5,0 × 5,0 mm; rechthoekig tot 4:1 aspect ratio |
| Diëlektricum | COG/NPO (Klasse I) | X7R (Klasse II), high-K, aangepaste laagstapels |
| Bovenste metallisatie | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au | Tot 5,0 µm Au; aluminium optie |
| Achterkant metallisatie | TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au | Alleen Au; AuSn of AuGe pre-depositie; zilver-sinterbare afwerking |
| Ontwerparchitectuur | Dubbelzijdig begrensd | Enkelzijdig begrensd of randloos |
| Prototype levertijd | 3-4 weken | Versneld 1-2 weken voor standaardwaarden |
![]()