Ultra-Niski ESL 680 pF 50V Kondensatory MOS Tolerancyjne na miękkie przebicie Jednowarstwowe chipy do ochrony obwodów

Czym jest ten produkt

Jednowarstwowy kondensator MOS to płaski kondensator metal-izolator-półprzewodnik zbudowany na podłożu krzemowym typu float-zone z termicznie narastającym dielektrykiem SiO₂ dielektrykiem. Ponieważ ścieżka prądu jest pojedynczą pionową barierą bez wewnętrznych elektrod i bez przelotek, urządzenie charakteryzuje się bardzo niską równoważną indukcyjnością szeregową i bardzo małym rozrzutem pojemności w zależności od temperatury i napięcia. Ten model jest wariantem o większej powierzchni, przeznaczonym do zastosowań ochronnych i odsprzęgania prądów o wysokim natężeniu.

• Typ produktu: jednowarstwowy kondensator MOS / kondensator chipowy do lutowania drutowego
• Model: HACC681S50V750  |  Marka: Hoan
• Pojemność: 680 pF ±10%  |  Napięcie znamionowe: 50 V DC
• Rozmiar chipa: 0,75 × 0,75 × 0,20 mm  |  Dielektryk: COG/NPO (Klasa I)
• Montaż: lutowanie drutowe lub przewodzący epoksyd / AuSn / spiekany srebrny klej do chipów

Niska pasożytnicza indukcyjność i szybka odpowiedź impulsowa

Zdolność kondensatora do utrzymywania stabilności szyny podczas szybkiego przejścia jest określana przez impedancję, którą prezentuje w ciągu pierwszych kilku nanosekund, a na tych skalach czasowych impedancja jest zdominowana przez ESL, a nie przez pojemność. Jednowarstwowa konstrukcja spłaszcza pętlę prądową do pionowej ścieżki o grubości 0,20 mm, co jest źródłem przewagi w odpowiedzi impulsowej.

• Wewnętrzne ESL poniżej 0,05 nH, około rzędu wielkości niższe niż w porównywalnym wielowarstwowym kondensatorze ceramicznym
• ESR poniżej 0,05 Ω przy 1 GHz, więc zacisk zachowuje się rezystancyjnie, a nie indukcyjnie na krawędzi przejścia
• Częstotliwość samo-rezonansowa powyżej 1,5 GHz na poziomie chipa, utrzymująca pojemność części w całym paśmie zainteresowania
• Brak obniżenia wartości z powodu napięcia DC i brak piezoelektrycznego dzwonienia, ponieważ dielektryk jest paraelektryczny
• Wiele równoległych połączeń na padzie 0,75 mm obsługuje prądy impulsowe powyżej 1 A rms

W ścieżce prądu udarowego przy podłączaniu na gorąco lub w sieci zasilającej stopień mocy z szerokim pasmem wzbronionym, praktycznym rezultatem jest niższe przeregulowanie zacisku i krótszy ogon stabilizacji niż w przypadku części wielowarstwowej o tej samej wartości, bez układania kondensatorów szeregowo, aby przetrwać wychylenie napięcia.

Opcje dostosowywania

Ten model jest konfigurowalną platformą, a nie stałym elementem katalogowym, więc część może być ponownie określona dla konkretnej szyny, przebiegu lub obudowy. Ta sama platforma może być również przypisana do innej rodziny produktów w strukturze katalogu, gdy wymaga tego klasyfikacja zakupu lub katalogu.

Typowe zastosowania

• Sieci podłączania na gorąco i ograniczania prądu udarowego w kartach linii telekomunikacyjnych i datakomowych
• Zaciskanie obciążenia i przepięć na szynach 12–48 V
• Odsprzęganie zasilania dla stopni mocy z szerokim pasmem wzbronionym na zasilaczach 28–50 V
• Filtrowanie wejściowe i wyjściowe w przetwornicach impulsowych z wysokim dV/dt
• Tłumienie przejściowe na płytach zasilania przemysłowego, pomiarowego i przyrządowego
• Szerokopasmowe obejście RF i blokowanie DC w kompaktowych modułach