| Nombre De La Marca: | Hoan |
| Número De Modelo: | HACC681S50V750 |
| Cantidad Mínima De Pedido: | 10 piezas |
| Condiciones De Pago: | T/T, L/C, D/A, D/P |
Un condensador MOS de una sola capa es un condensador planar de metal aislante semiconductor construido en un sustrato de silicio de zona flotante con un SiO cultivado térmicamente2Debido a que el camino de corriente es una única barrera vertical sin electrodos internos y sin vías,el dispositivo presenta una inductancia de serie equivalente muy baja y una dispersión muy pequeña de la capacitancia sobre la temperatura y el sesgoEste modelo es la variante de mayor tamaño, destinada a funciones de protección y desconexión de alta corriente.
La capacidad de un condensador para mantener un carril estable durante un transitorio rápido está determinada por la impedancia que presenta en los primeros nanosegundos,y en esas escalas de tiempo la impedancia está dominada por ESL en lugar de por la capacitanciaLa construcción de una sola capa colapsa el circuito de corriente a una trayectoria vertical de 0,20 mm, de donde proviene la ventaja transitoria.
En una trayectoria de entrada con enchufe en caliente o en una red de sesgo que alimenta una etapa de potencia de banda ancha, el resultado práctico es un desvío de sujeción más bajo y una cola de asentamiento más corta que una pieza multicapa del mismo valor,sin apilar condensadores en serie para sobrevivir a la excursión de voltaje.
Este modelo es una plataforma configurable en lugar de un artículo de catálogo fijo, por lo que la pieza puede ser reespecificada para un carril, una forma de onda o una huella particular.La misma plataforma también puede reasignarse a otra familia de productos en su estructura de catálogo cuando lo requiera su compra o clasificación de catálogo.
| Parámetro | Estándar | Personalización disponible |
| Capacidad | 680 pF ± 10% | 10 pF a 10 000 pF; tolerancia de ± 5% o más |
| Válvulas de tensión | 50 V de corriente continua | 6.3 V a 500 V de corriente continua; 1000 V con dieléctrico apilado |
| Dimensiones del chip | 0.75 × 0,75 × 0,20 mm | 0.25 × 0,25 mm a 5,0 × 5,0 mm; rectangular con una relación de aspecto de hasta 4:1 |
| Dieléctrico | COG/NPO (clase I) | X7R (clase II), pilas de capas personalizadas de alta K |
| Metalización superior | Se aplicarán las siguientes medidas: | Hasta 5,0 μm Au; opcional de aluminio |
| Metalización de la parte posterior | TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au | Solo Au; pre-deposición AuSn o AuGe; acabado sinterable con plata |
| Arquitectura de diseño | Con bordes de dos lados | Con bordado o sin bordado de una sola cara |
| Tiempo de entrega del prototipo | 3 ∙ 4 semanas | Aceleración de 1 2 semanas para los valores estándar |
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