Detalles de los productos

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Condensadores MOS
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Capacitores MOS de ESL ultra bajo de 680 pF y 50 V, tolerantes a fallas blandas, capa única para protección de circuitos

Capacitores MOS de ESL ultra bajo de 680 pF y 50 V, tolerantes a fallas blandas, capa única para protección de circuitos

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HACC681S50V750
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: T/T, L/C, D/A, D/P
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015
Tipo dieléctrico:
COG/NPO (Clase I, paraeléctrica)
sustrato:
Silicio de zona flotante, >1000 Ohm·cm
Coeficiente de polarización de CC (VCC):
<10 ppm/V
Corriente de fuga:
<10 nA a 25 °C, <100 nA a 125 °C (tensión nominal)
Metalización superior:
TaN/TiW/Ni/Au, ≥2,5 µm Au
Personalización:
Capacitancia, voltaje, geometría, dieléctrico, metalización y asignación de familia de productos con
Resaltar:

Capacitores MOS de 680 pF

,

Capacitores de chip de capa única de 50 V

,

Capacitores tolerantes a fallas blandas

Descripción de producto

Qué es este producto

Un condensador MOS de una sola capa es un condensador planar de metal aislante semiconductor construido en un sustrato de silicio de zona flotante con un SiO cultivado térmicamente2Debido a que el camino de corriente es una única barrera vertical sin electrodos internos y sin vías,el dispositivo presenta una inductancia de serie equivalente muy baja y una dispersión muy pequeña de la capacitancia sobre la temperatura y el sesgoEste modelo es la variante de mayor tamaño, destinada a funciones de protección y desconexión de alta corriente.

  • Tipo de producto: condensador MOS de una sola capa / condensador de chip ligado por alambre
  • Modelo: HACC681S50V750
  • Capacidad: 680 pF ±10% Voltado nominal: 50 V DC
  • Tamaño del chip: 0,75 × 0,75 × 0,20 mm Dielectrico: COG/NPO (clase I)
  • Instalación: unión de alambre o adhesiones conductoras de epoxi / AuSn / plata sinterizada


Baja inductancia parasitaria y respuesta transitoria

La capacidad de un condensador para mantener un carril estable durante un transitorio rápido está determinada por la impedancia que presenta en los primeros nanosegundos,y en esas escalas de tiempo la impedancia está dominada por ESL en lugar de por la capacitanciaLa construcción de una sola capa colapsa el circuito de corriente a una trayectoria vertical de 0,20 mm, de donde proviene la ventaja transitoria.

  • ESL intrínseca inferior a 0,05 nH, aproximadamente un orden de magnitud inferior al de un chip cerámico multicapa comparable
  • ESR por debajo de 0,05 Ω a 1 GHz, por lo que la abrazadera se comporta resistivamente en lugar de inductivamente en el borde del transitorio
  • Frecuencia de auto-resonancia por encima del nivel del chip de 1,5 GHz, manteniendo la parte capacitiva en toda la banda de interés
  • No hay desviación de DC y no hay anillo piezoeléctrico, porque el dieléctrico es paraeléctrico
  • Múltiples enlaces paralelos en la almohadilla de 0,75 mm soportan corrientes de pulso superiores a 1 A rms

En una trayectoria de entrada con enchufe en caliente o en una red de sesgo que alimenta una etapa de potencia de banda ancha, el resultado práctico es un desvío de sujeción más bajo y una cola de asentamiento más corta que una pieza multicapa del mismo valor,sin apilar condensadores en serie para sobrevivir a la excursión de voltaje.


Opciones de personalización

Este modelo es una plataforma configurable en lugar de un artículo de catálogo fijo, por lo que la pieza puede ser reespecificada para un carril, una forma de onda o una huella particular.La misma plataforma también puede reasignarse a otra familia de productos en su estructura de catálogo cuando lo requiera su compra o clasificación de catálogo.


Parámetro Estándar Personalización disponible
Capacidad 680 pF ± 10% 10 pF a 10 000 pF; tolerancia de ± 5% o más
Válvulas de tensión 50 V de corriente continua 6.3 V a 500 V de corriente continua; 1000 V con dieléctrico apilado
Dimensiones del chip 0.75 × 0,75 × 0,20 mm 0.25 × 0,25 mm a 5,0 × 5,0 mm; rectangular con una relación de aspecto de hasta 4:1
Dieléctrico COG/NPO (clase I) X7R (clase II), pilas de capas personalizadas de alta K
Metalización superior Se aplicarán las siguientes medidas: Hasta 5,0 μm Au; opcional de aluminio
Metalización de la parte posterior TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au Solo Au; pre-deposición AuSn o AuGe; acabado sinterable con plata
Arquitectura de diseño Con bordes de dos lados Con bordado o sin bordado de una sola cara
Tiempo de entrega del prototipo 3 ∙ 4 semanas Aceleración de 1 – 2 semanas para los valores estándar


Aplicaciones típicas

  • Redes limitadoras de enchufe en caliente y de entrada en corriente en tarjetas de línea de telecomunicaciones y de datos
  • Clampada de descarga de carga y de oleaje en rieles de 12 ̊48 V
  • Desacoplamiento de sesgo para etapas de potencia de banda ancha en fuentes de 28 – 50 V
  • Filtración de entrada y salida en convertidores de conmutación con alto dV/dt
  • Supresión transitoria en las placas industriales de energía, medidores e instrumentos
  • Desvío de RF de banda ancha y bloqueo de CC en módulos compactos


Capacitores MOS de ESL ultra bajo de 680 pF y 50 V, tolerantes a fallas blandas, capa única para protección de circuitos