| Название бренда: | Hoan |
| Номер модели: | ХАСС681С50В750 |
| минимальный заказ: | 10 шт. |
| Условия оплаты: | Т/Т,Л/К,Д/А,Д/П |
Однослойный конденсатор MOS - это плоский металлоизолятор-полупроводниковый конденсатор, построенный на кремниевом субстрате плавающей зоны с термообразованным SiO2Поскольку путь тока представляет собой один вертикальный барьер без внутренних электродов и проводов,Устройство имеет очень низкую эквивалентную серийную индуктивность и очень небольшое распределение емкости по температуре и предвзятости.Эта модель представляет собой вариант с большим объемом, предназначенный для защиты и высокоскоростного разъединения.
Способность конденсатора удерживать рельс в течение быстрого транзита определяется импеданцией, которую он представляет в первые несколько наносекунд,и в этих временных масштабах импеданс преобладает ESL, а не емкостьюОднослойная конструкция разрушает текущую петлю до вертикального пути 0,20 мм, откуда происходит временное преимущество.
В горячей розетке или в сети предубеждений, питающей широкую полосу питания, практический результат - меньшее перенапряжение зажима и более короткий устойчивый хвост, чем многослойная часть с одинаковым значением,без укладки конденсаторов в серии, чтобы выжить при экскурсии напряжения.
Эта модель представляет собой конфигурируемую платформу, а не фиксированную статью каталога, поэтому часть может быть переопределена для конкретной рельсы, формы волны или отпечатка.Та же платформа также может быть переназначена для другого семейства продуктов в структуре каталога, когда это требуется для покупки или классификации каталога..
| Параметр | Стандартный | Доступная настройка |
| Пропускная способность | 680 pF ±10% | от 10 до 10 000 pF; ± 5% или более строгое допустимое значение |
| Номинальное напряжение | 50 В постоянного тока | 6.3 V до 500 V постоянного тока; 1000 V с наложенным диэлектриком |
| Размеры чипа | 00,75 × 0,75 × 0,20 мм | 0.25 × 0,25 мм до 5,0 × 5,0 мм; прямоугольный до 4: 1 соотношение сторон |
| Диэлектрический | COG/NPO (класс I) | X7R (класс II), высоко-K, индивидуальные стеки слоев |
| Верхняя металлизация | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 мкм Au | До 5,0 мкм Au; алюминий опциональный |
| Металлизация с задней стороны | TiW-Pt-Au, 1,0 мкм Au | Только Au; предварительная осаждение AuSn или AuGe; серебро-синтерообразная отделка |
| Дизайн архитектуры | Двухсторонние, с оболочкой | Односторонние с окраской или без окраски |
| Время производства прототипа | 3-4 недели | Ускоренная 1 ≈ 2 недели для стандартных значений |
![]()