Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

Сверхнизкий ESL 680 пФ 50В МОП-конденсаторы, устойчивые к мягкому пробою, однослойные чип-конденсаторы для защиты цепи

Сверхнизкий ESL 680 пФ 50В МОП-конденсаторы, устойчивые к мягкому пробою, однослойные чип-конденсаторы для защиты цепи

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХАСС681С50В750
минимальный заказ: 10 шт.
Условия оплаты: Т/Т,Л/К,Д/А,Д/П
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015
Диэлектрический тип:
COG/NPO (класс I, параэлектрический)
Субстрат:
Кремний с плавающей зоной, >1000 Ом·см
Коэффициент смещения постоянного тока (VCC):
<10 частей на миллион/В
Ток утечки:
<10 нА при 25°C, <100 нА при 125°C (номинальное напряжение)
Верхняя металлизация:
TaN/TiW/Ni/Au, Au ≥2,5 мкм
Кастомизация:
Конфигурируемые емкость, напряжение, геометрия, диэлектрик, металлизация и принадлежность к семейств
Выделить:

680 пФ МОП-конденсаторы

,

50В однослойные чип-конденсаторы

,

Конденсаторы

Характер продукции

Что это за продукт?

Однослойный конденсатор MOS - это плоский металлоизолятор-полупроводниковый конденсатор, построенный на кремниевом субстрате плавающей зоны с термообразованным SiO2Поскольку путь тока представляет собой один вертикальный барьер без внутренних электродов и проводов,Устройство имеет очень низкую эквивалентную серийную индуктивность и очень небольшое распределение емкости по температуре и предвзятости.Эта модель представляет собой вариант с большим объемом, предназначенный для защиты и высокоскоростного разъединения.

  • Тип продукции: однослойный MOS-конденсатор / конденсатор с микросхемой
  • Модель: HACC681S50V750
  • Конденсация: 680 пФ ± 10%
  • Размер чипа: 0,75 × 0,75 × 0,20 мм. Диэлектрик: COG/NPO (класс I)
  • Установка: сцепление проводной проводной эпоксидной / AuSn / сцинтерованной серебряной прокладки


Низкая индуктивность паразитов и временный ответ

Способность конденсатора удерживать рельс в течение быстрого транзита определяется импеданцией, которую он представляет в первые несколько наносекунд,и в этих временных масштабах импеданс преобладает ESL, а не емкостьюОднослойная конструкция разрушает текущую петлю до вертикального пути 0,20 мм, откуда происходит временное преимущество.

  • Внутренняя ESL ниже 0,05 nH, примерно на порядок меньше, чем у сопоставимого многослойного керамического чипа
  • ESR ниже 0,05 Ω при 1 ГГц, поэтому зажим ведет себя резистивно, а не индуктивно на краю преходящего
  • Саморезонансная частота выше уровня чипа 1,5 ГГц, сохраняя емкость части в диапазоне интереса
  • Никакой деформации постоянного тока и никакого пьезоэлектрического звонка, потому что диэлектрик является параэлектрическим
  • Несколько параллельных связей на 0,75 мм подложки поддерживают импульсные токи свыше 1 A rms

В горячей розетке или в сети предубеждений, питающей широкую полосу питания, практический результат - меньшее перенапряжение зажима и более короткий устойчивый хвост, чем многослойная часть с одинаковым значением,без укладки конденсаторов в серии, чтобы выжить при экскурсии напряжения.


Варианты настройки

Эта модель представляет собой конфигурируемую платформу, а не фиксированную статью каталога, поэтому часть может быть переопределена для конкретной рельсы, формы волны или отпечатка.Та же платформа также может быть переназначена для другого семейства продуктов в структуре каталога, когда это требуется для покупки или классификации каталога..


Параметр Стандартный Доступная настройка
Пропускная способность 680 pF ±10% от 10 до 10 000 pF; ± 5% или более строгое допустимое значение
Номинальное напряжение 50 В постоянного тока 6.3 V до 500 V постоянного тока; 1000 V с наложенным диэлектриком
Размеры чипа 00,75 × 0,75 × 0,20 мм 0.25 × 0,25 мм до 5,0 × 5,0 мм; прямоугольный до 4: 1 соотношение сторон
Диэлектрический COG/NPO (класс I) X7R (класс II), высоко-K, индивидуальные стеки слоев
Верхняя металлизация TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 мкм Au До 5,0 мкм Au; алюминий опциональный
Металлизация с задней стороны TiW-Pt-Au, 1,0 мкм Au Только Au; предварительная осаждение AuSn или AuGe; серебро-синтерообразная отделка
Дизайн архитектуры Двухсторонние, с оболочкой Односторонние с окраской или без окраски
Время производства прототипа 3-4 недели Ускоренная 1 ≈ 2 недели для стандартных значений


Типичные приложения

  • Сети ограничения горячего подключения и входа в сеть в телекоммуникационных и данных-линейных картах
  • Застегивание отгрузки и перенапряжения на рельсах 12 ̊48 В
  • Отсоединение отклонений для широкополосных этапов питания на источниках 28 ̊50 В
  • Фильтрация ввода и вывода в коммутационных преобразователях с высоким dV/dt
  • Временное подавление в промышленных панелях питания, измерений и приборов
  • Широкополосный обход RF и блокировка постоянного тока в компактных модулях


Сверхнизкий ESL 680 пФ 50В МОП-конденсаторы, устойчивые к мягкому пробою, однослойные чип-конденсаторы для защиты цепи