| Nom De La Marque: | Hoan |
| Numéro De Modèle: | HACC681S50V750 |
| Quantité Minimale De Commande: | 10 pièces |
| Conditions De Paiement: | T/T, L/C, D/A, D/P |
Un condensateur MOS à couche unique est un condensateur plan métal-isolant-semi-conducteur construit sur un substrat de silicium à zone flottante avec un SiO thermiquement cultivé2 diélectrique. Parce que le chemin de courant est une seule barrière verticale sans électrodes internes ni vias, le dispositif présente une inductance série équivalente très faible et une très petite dispersion de capacité sur la température et la tension. Ce modèle est la variante à plus grande empreinte, destinée à la protection et au découplage à courant élevé.
La capacité d'un condensateur à maintenir un rail stable lors d'une transition rapide est déterminée par l'impédance qu'il présente dans les premières nanosecondes, et à ces échelles de temps, l'impédance est dominée par l'ESL plutôt que par la capacité. La construction à couche unique réduit la boucle de courant à un chemin vertical de 0,20 mm, d'où l'avantage transitoire.
Dans un chemin d'appel de courant à branchement à chaud ou un réseau de polarisation alimentant une étage de puissance à large bande interdite, le résultat pratique est un dépassement de clamp plus faible et une queue de stabilisation plus courte qu'une pièce multicouche de même valeur, sans empiler des condensateurs en série pour survivre à l'excursion de tension.
Ce modèle est une plateforme configurable plutôt qu'un article de catalogue fixe, de sorte que la pièce peut être redéfinie pour un rail, une forme d'onde ou une empreinte particulière. La même plateforme peut également être réaffectée à une autre famille de produits dans votre structure de catalogue lorsque votre classification d'achat ou de catalogue l'exige.
| Paramètre | Standard | Personnalisation disponible |
| Capacité | 680 pF ±10% | 10 pF à 10 000 pF ; ±5% ou tolérance plus serrée |
| Tension nominale | 50 V DC | 6,3 V à 500 V DC ; 1000 V avec diélectrique empilé |
| Dimensions de la puce | 0,75 × 0,75 × 0,20 mm | 0,25 × 0,25 mm à 5,0 × 5,0 mm ; rectangulaire jusqu'à un rapport d'aspect de 4:1 |
| Diélectrique | COG/NPO (Classe I) | X7R (Classe II), haute K, empilements de couches personnalisés |
| Métallisation supérieure | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au | Jusqu'à 5,0 µm Au ; option aluminium |
| Métallisation arrière | TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au | Au uniquement ; pré-dépôt AuSn ou AuGe ; finition argent frittable |
| Architecture de conception | Bordée des deux côtés | Bordée d'un seul côté ou sans bordure |
| Délai de prototypage | 3-4 semaines | 1-2 semaines accélérées pour les valeurs standard |
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