Condensatori MOS a bassissimo ESL da 680 pF 50V, tolleranti al soft-breakdown, a strato singolo per la protezione dei circuiti

Cos'è questo prodotto

Un condensatore MOS a singolo strato è un condensatore planare metallo-isolante-semiconduttore costruito su un substrato di silicio float-zone con un SiO cresciuto termicamente₂ dielettrico. Poiché il percorso di corrente è una singola barriera verticale senza elettrodi interni e senza via, il dispositivo presenta un'induttanza serie equivalente molto bassa e una dispersione di capacità molto piccola su temperatura e polarizzazione. Questo modello è la variante con impronta più grande, destinata a ruoli di protezione e disaccoppiamento ad alta corrente.

• Tipo di prodotto: condensatore MOS a strato singolo / condensatore a chip saldabile
• Modello: HACC681S50V750  |  Marca: Hoan
• Capacità: 680 pF ±10%  |  Tensione nominale: 50 V DC
• Dimensioni del chip: 0,75 × 0,75 × 0,20 mm  |  Dielettrico: COG/NPO (Classe I)
• Montaggio: saldatura a filo, o epossidico conduttivo / AuSn / attacco dielettrico in argento sinterizzato

Bassa induttanza parassita e risposta transitoria

La capacità di un condensatore di mantenere un rail stabile durante un transitorio rapido è determinata dall'impedenza che presenta nei primi nanosecondi, e su quelle scale temporali l'impedenza è dominata dall'ESL piuttosto che dalla capacità. La costruzione a strato singolo collassa il loop di corrente in un percorso verticale di 0,20 mm, che è da dove deriva il vantaggio transitorio.

• ESL intrinseca inferiore a 0,05 nH, circa un ordine di grandezza inferiore rispetto a un chip ceramico multistrato comparabile
• ESR inferiore a 0,05 Ω a 1 GHz, quindi il clamp si comporta in modo resistivo piuttosto che induttivo al limite del transitorio
• Frequenza di auto-risonanza superiore a 1,5 GHz a livello di chip, mantenendo la parte capacitiva nell'intera banda di interesse
• Nessuna riduzione della polarizzazione DC e nessun ringing piezoelettrico, poiché il dielettrico è paraelettrico
• Molteplici legami paralleli sul pad da 0,75 mm supportano correnti di impulso superiori a 1 A rms

In un percorso di inrush hot-plug o in una rete di polarizzazione che alimenta uno stadio di potenza a banda larga, il risultato pratico è un minore overshoot del clamp e una coda di stabilizzazione più breve rispetto a una parte multistrato di pari valore, senza impilare condensatori in serie per sopravvivere all'escursione di tensione.

Opzioni di personalizzazione

Questo modello è una piattaforma configurabile piuttosto che un articolo fisso a catalogo, quindi la parte può essere rispecificata per un particolare rail, forma d'onda o impronta. La stessa piattaforma può anche essere riassegnata a un'altra famiglia di prodotti nella struttura del tuo catalogo quando la tua classificazione di acquisto o di catalogo lo richiede.

Applicazioni tipiche

• Reti di limitazione hot-plug e inrush in schede di linea telecom e datacom
• Clamp di load-dump e surge su rail da 12–48 V
• Disaccoppiamento di polarizzazione per stadi di potenza a banda larga su alimentatori da 28–50 V
• Filtro di ingresso e uscita in convertitori switching con alto dV/dt
• Soppressione transitoria in schede di alimentazione industriale, misurazione e strumentazione
• Bypass RF a banda larga e blocco DC in moduli compatti