HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ব্র্যান্ডের নাম: | Hoan |
| মডেল নম্বর: | HACC681S50V750 |
| MOQ: | 10 টুকরা |
| পেমেন্ট শর্তাবলী: | T/T, L/C, D/A, D/P |
একটি একক স্তর MOS ক্যাপাসিটর হল একটি প্ল্যানার মেটাল-ইনসুলেটর-সেমিকন্ডাক্টর ক্যাপাসিটর যা একটি ফ্লোট-জোন সিলিকন সাবস্ট্রেটের উপর নির্মিত একটি থার্মালি গ্রোন SiO2 ডাইইলেকট্রিক। যেহেতু কারেন্ট পাথটি কোনও অভ্যন্তরীণ ইলেকট্রোড এবং কোনও ভায়া ছাড়াই একটি একক উল্লম্ব বাধা, তাই ডিভাইসটি খুব কম সমতুল্য সিরিজ ইন্ডাকট্যান্স এবং তাপমাত্রা এবং বায়াসের উপর ক্যাপাসিট্যান্সের একটি খুব ছোট স্প্রেড উপস্থাপন করে। এই মডেলটি বৃহত্তর-ফুটপ্রিন্ট ভ্যারিয়েন্ট, যা সুরক্ষা এবং উচ্চ-কারেন্ট ডিকাপলিং ভূমিকার জন্য উদ্দিষ্ট।
একটি দ্রুত ট্রানজিয়েন্টের সময় একটি রেলকে স্থির রাখার জন্য একটি ক্যাপাসিটরের ক্ষমতা তার ইম্পিডেন্স দ্বারা নির্ধারিত হয় যা এটি প্রথম কয়েক ন্যানোসেকেন্ডে উপস্থাপন করে, এবং সেই টাইমস্কেলে ইম্পিডেন্স ক্যাপাসিট্যান্সের চেয়ে ESL দ্বারা প্রভাবিত হয়। একক স্তর নির্মাণ কারেন্ট লুপকে 0.20 মিমি উল্লম্ব পথে সংকুচিত করে, যা ট্রানজিয়েন্ট সুবিধার উৎস।
একটি হট-প্লাগ ইনরাশ পাথে বা একটি ওয়াইড-ব্যান্ডগ্যাপ পাওয়ার স্টেজে ফিডিং করা একটি বায়াস নেটওয়ার্কে, ব্যবহারিক ফলাফল হল একটি নিম্ন ক্ল্যাম্প ওভারশুট এবং একটি একই-মূল্যের মাল্টিলেয়ার অংশের চেয়ে ছোট সেটলিং টেইল, ভোল্টেজ এক্সকারশন সহ্য করার জন্য সিরিজে ক্যাপাসিটর স্ট্যাক না করে।
এই মডেলটি একটি নির্দিষ্ট ক্যাটালগ আইটেমের চেয়ে একটি কনফিগারযোগ্য প্ল্যাটফর্ম, তাই অংশটি একটি নির্দিষ্ট রেল, ওয়েভফর্ম বা ফুটপ্রিন্টের জন্য পুনরায় নির্দিষ্ট করা যেতে পারে। আপনার ক্রয় বা ক্যাটালগ শ্রেণিবিন্যাস এটি প্রয়োজন হলে একই প্ল্যাটফর্মটি আপনার ক্যাটালগ কাঠামোর অন্য পণ্য পরিবারে পুনরায় বরাদ্দ করা যেতে পারে।
| প্যারামিটার | স্ট্যান্ডার্ড | উপলব্ধ কাস্টমাইজেশন |
| ক্যাপাসিট্যান্স | 680 pF ±10% | 10 pF থেকে 10,000 pF; ±5% বা টাইটার টলারেন্স |
| রেট করা ভোল্টেজ | 50 V DC | 6.3 V থেকে 500 V DC; স্ট্যাকড ডাইইলেকট্রিক সহ 1000 V |
| চিপের মাত্রা | 0.75 × 0.75 × 0.20 মিমি | 0.25 × 0.25 মিমি থেকে 5.0 × 5.0 মিমি; 4:1 অনুপাত পর্যন্ত আয়তক্ষেত্রাকার |
| ডাইইলেকট্রিক | COG/NPO (ক্লাস I) | X7R (ক্লাস II), হাই-কে, কাস্টম লেয়ার স্ট্যাক |
| উপরের ধাতুকরণ | TaN/TiW/Ni/Au, 2.5 µm Au | 5.0 µm Au পর্যন্ত; অ্যালুমিনিয়াম বিকল্প |
| ব্যাকসাইড ধাতুকরণ | TiW-Pt-Au, 1.0 µm Au | শুধুমাত্র Au; AuSn বা AuGe প্রি-ডিপোজিশন; সিলভার-সিন্টারেবল ফিনিশ |
| ডিজাইন আর্কিটেকচার | ডাবল-সাইডেড বর্ডারড | সিঙ্গেল-সাইডেড বর্ডারড বা বর্ডারলেস |
| প্রোটোটাইপ লিড টাইম | 3–4 সপ্তাহ | স্ট্যান্ডার্ড মানের জন্য দ্রুত 1–2 সপ্তাহ |
