รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ตัวเก็บประจุ MOS ESL ต่ำพิเศษ 680 pF 50V ทนต่อการพังทลายแบบอ่อน ตัวเก็บประจุแบบชิปชั้นเดียวสำหรับการป้องกันวงจร

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC681S50V750
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T,L/C,D/A,D/P

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015

ประเภทไดอิเล็กทริก:

COG/NPO (Class I, พาราอิเล็กทริก)

พื้นผิว:

ซิลิคอนโฟลตโซน >1000 โอห์ม·ซม

ค่าสัมประสิทธิ์อคติ DC (VCC):

<10 ppm/V

กระแสรั่วไหล:

<10 nA @ 25°C, <100 nA @ 125°C (พิกัดแรงดันไฟฟ้า)

การทำให้เป็นโลหะส่วนบน:

TaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5µm Au

การปรับแต่ง:

สามารถกำหนดค่าความจุ แรงดันไฟฟ้า เรขาคณิต อิเล็กทริก การทำให้เป็นโลหะ และตระกูลผลิตภัณฑ์ได้

เน้น:

ตัวเก็บประจุ MOS 680 pF

ตัวเก็บประจุแบบชิปชั้นเดียว 50V

ตัวเก็บประจุทนต่อการพังทลายแบบอ่อน

คําอธิบายสินค้า

สินค้านี้คืออะไร

เครื่องประกอบความแข็ง MOS ชั้นเดียว คือ เครื่องประกอบความแข็งโลหะ-ไอโซเลเตอร์-ครึ่งประสาทแบบเรียบที่สร้างขึ้นบนสับสราตซิลิคอนโซนพลอยที่มี SiO ที่เติบโตด้วยความร้อน₂เนื่องจากเส้นทางของกระแสไฟฟ้าเป็นอุปสรรคแนวตั้งเดียว ไม่มีอิเล็กทรอร์ดภายในและไม่มี viasอุปกรณ์แสดงอัตราการดึงดูดในชุดที่เท่าเทียมกันต่ํามาก และการกระจายความจุในความจุน้อยมากต่ออุณหภูมิและความเสี่ยงรุ่นนี้คือตัวแปรที่มีสัดส่วนที่ใหญ่กว่า สําหรับการป้องกันและการตัดความแรงสูง

ประเภทสินค้า: เครื่องปรับความแข็ง MOS ชั้นเดียว / เครื่องปรับความแข็งชิปที่เชื่อมต่อสาย
รุ่น: HACC681S50V750 แบรนด์: โฮน
ความจุ: 680 pF ± 10%
ขนาดชิป: 0.75 × 0.75 × 0.20 มิลลิเมตร
การติดตั้ง: การผูกเชือกหรือ epoxy conductive / AuSn / เหรียญเงิน sintered die attach

อุปสรรคปรสิตต่ํา และการตอบสนองชั่วคราว

ความสามารถของคอนเดเซนเตอร์ในการถือรถไฟคงที่ในระหว่างการเคลื่อนไหวที่รวดเร็ว ถูกกําหนดโดยอุปสรรคที่มันนําเสนอในนาโนวินาทีแรกและในระยะเวลาเหล่านั้น อุปสรรคถูกควบคุมโดย ESL แทนที่จะโดยความจุการก่อสร้างชั้นเดียวลดวงจรกระแสไปสู่เส้นทางตั้ง 0.20 มิลลิเมตร ซึ่งเป็นจุดที่ข้อดีที่ผ่านมามาจาก

ESL ภายในต่ํากว่า 0.05 nH ต่ํากว่าชิปเซรามิกหลายชั้นที่เทียบได้ประมาณ
ESR ต่ํากว่า 0.05 Ω ที่ 1 GHz ดังนั้น clamps พฤติกรรม resistively แทนที่
ความถี่ที่สะท้อนตัวเองเหนือระดับชิป 1.5 GHz โดยรักษาความสามารถของชิ้นส่วนในช่วงความสนใจ
ไม่มี DC bias derating และไม่มี piezoelectric ringing เพราะ dielectric เป็น paraelectric
การเชื่อมโยงคู่ ๆ หลายตัวบนพัด 0.75 มิลลิเมตรสนับสนุนกระแสแรงกระแทกมากกว่า 1 A rms

ในเส้นทางการเข้าแบบ Hot-Plug หรือเครือข่าย bias ที่ให้อาหารกับระดับพลังงานที่มีความกว้างขวาง, ผลเชิงปฏิบัติการคือการลดการเลื่อนคลับต่ํากว่าและหางลงตัวที่สั้นกว่าชิ้นส่วนหลายชั้นที่มีค่าเท่ากันโดยไม่ต้อนคอนเดเซนเตอร์ในชุดเพื่อรอดจากการออกเดินทางของแรงดัน.

ตัวเลือกการปรับแต่ง

รูปแบบนี้เป็นแพลตฟอร์มที่สามารถตั้งค่าได้ แทนที่จะเป็นรายการจํากัดในคัดลอก ดังนั้นชิ้นส่วนสามารถกําหนดใหม่ได้สําหรับรถไฟ, รูปแบบคลื่นหรือรอยเท้าเฉพาะเจาะจงแพลตฟอร์มเดียวกันยังสามารถจัดสรรใหม่ให้กับครอบครัวสินค้าอื่นในโครงสร้างคัดลอกของคุณเมื่อการซื้อหรือการจัดลําดับคัดลอกของคุณต้องการมัน.

ปริมาตร	มาตรฐาน	สามารถปรับแต่งได้
ความจุ	680 pF ± 10%	10 pF ถึง 10,000 pF; ± 5% หรือความละเอียดที่เข้มข้นกว่า
ความดันเฉพาะ	50 V DC	6.3 V ถึง 500 V DC; 1000 V กับดียิเลคทริกที่ติดกัน
ขนาดชิป	0.75 × 0.75 × 0.20 มิลลิเมตร	0.25 × 0.25 มิลลิเมตร ถึง 5.0 × 5.0 มิลลิเมตร; สี่เหลี่ยมถึงสัดส่วนด้าน 4: 1
ไดเอเลคทริก	COG/NPO (ประเภท I)	X7R (ประเภท II) ค้อนชั้นแบบกําหนดเองที่มี K สูง
โลหะระบายบน	TaN/TiW/Ni/Au, 2.5 μm Au	ขนาดสูงสุด 5.0 μm Au; อัลลูมิเนียมเป็นตัวเลือก
การทําโลหะด้านหลัง	TiW-Pt-Au, 1.0 μm Au	Au เท่านั้น; AuSn หรือ AuGe ลงมาก่อน; ปลายที่สามารถซินเตอร์เงินได้
การออกแบบสถาปัตยกรรม	ขอบสองด้าน	ขอบข้างเดียว หรือไม่มีขอบ
ระยะเวลาในการนําตัวอย่าง	3-4 สัปดาห์	เร็ว 1~2 สัปดาห์สําหรับค่ามาตรฐาน

การใช้งานทั่วไป

Hot-plug และ inrush จํากัดเครือข่ายในการโทรคมนาคมและ datacom การ์ดสาย
เครื่องปักฝ้าและปักแรงดันบนราง 12 วาลต์ 48 วอลต์
การแยกแยกความคัดค้านสําหรับระยะพลังงานแบนด์กป์กว้างบนไฟ 28 วาลต์ 50 วอลต์
การกรองค่าเข้าและค่าออกในเครื่องแปลงสวิตช์ที่มี dV/dt สูง
การดุจระยะสั้นในแผ่นพลังงานอุตสาหกรรม, การวัดและเครื่องมือ
การเลี่ยง RF แบรนด์เบนด์ และการกั้น DC ในโมดูลคอมแพคต์

ตัวเก็บประจุ MOS ESL ต่ำพิเศษ 680 pF 50V ทนต่อการพังทลายแบบอ่อน ตัวเก็บประจุแบบชิปชั้นเดียวสำหรับการป้องกันวงจร

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS