جزئیات محصولات

خونه محصولات

خازن‌های MOS با ESL فوق‌العاده پایین 680 پیکوفاراد 50 ولت، مقاوم در برابر شکست نرم، لایه تکی تراشه‌ای برای حفاظت مدار

نام تجاری:	Hoan
شماره مدل:	HACC681S50V750
MOQ:	10 عدد
شرایط پرداخت:	T/T، L/C، D/A، D/P

اطلاعات جزئیات

توضیحات محصول

اطلاعات جزئیات

محل منبع:

شانشی، چین

گواهی:

ISO 9001:2015

نوع دی الکتریک:

COG/NPO (کلاس I، پارالکتریک)

بستر:

سیلیکون منطقه شناور، > 1000 اهم · سانتی متر

ضریب تعصب DC (VCC):

<10ppm/V

جریان جریان:

<10 nA @ 25°C، <100 nA @ 125°C (ولتاژ نامی)

متالیزاسیون بالایی:

TaN/TiW/Ni/Au، ≥2.5μm طلا

سفارشی سازی:

ظرفیت، ولتاژ، هندسه، دی الکتریک، متالیزاسیون و تخصیص خانواده محصول قابل تنظیم

برجسته کردن:

خازن‌های MOS 680 پیکوفاراد

خازن‌های تراشه‌ای تک لایه 50 ولت

خازن‌های مقاوم در برابر شکست نرم

توضیحات محصول

چیست این محصول

یک خازن MOS تک لایه، یک خازن مسطح فلز-عایق-نیمه هادی است که بر روی یک زیرلایه سیلیکونی شناور ساخته شده است و دارای یک لایه SiO حرارتی رشد کرده است.₂ دی الکتریک. از آنجایی که مسیر جریان یک مانع عمودی منفرد بدون الکترودهای داخلی و بدون ویا است، دستگاه اندوکتانس سری معادل بسیار پایین و پراکندگی بسیار کمی در ظرفیت خازنی در دما و بایاس ارائه می دهد. این مدل نوعی با ردپای بزرگتر است که برای نقش های حفاظتی و جداسازی جریان بالا در نظر گرفته شده است.

نوع محصول: خازن MOS تک لایه / خازن تراشه قابل سیم کشی
مدل: HACC681S50V750 | برند: Hoan
ظرفیت خازنی: 680 پیکوفاراد ±10% | ولتاژ نامی: 50 ولت DC
اندازه تراشه: 0.75 × 0.75 × 0.20 میلی متر | دی الکتریک: COG/NPO (کلاس I)
نصب: سیم کشی، یا اپوکسی رسانا / AuSn / اتصال تراشه نقره ای تف جوشی شده

اندوکتانس پارازیتی کم و پاسخ گذرا

توانایی یک خازن برای ثابت نگه داشتن یک ریل در طول یک گذرا سریع توسط امپدانس آن در چند نانوثانیه اول تعیین می شود و در آن مقیاس های زمانی، امپدانس بیشتر تحت سلطه ESL است تا ظرفیت خازنی. ساختار تک لایه حلقه جریان را به یک مسیر عمودی 0.20 میلی متری فرو می ریزد، که مزیت گذرا از آنجا ناشی می شود.

ESL ذاتی کمتر از 0.05 نانو هانری، تقریباً یک مرتبه کوچکتر از یک تراشه سرامیکی چند لایه قابل مقایسه
ESR کمتر از 0.05 اهم در 1 گیگاهرتز، بنابراین گیره به جای القایی در لبه گذرا، به صورت مقاومتی رفتار می کند.
فرکانس خود تشدید بالاتر از 1.5 گیگاهرتز در سطح تراشه، که قطعه را در سراسر باند مورد نظر خازنی نگه می دارد.
بدون کاهش ولتاژ DC و بدون وزوز پیزوالکتریک، زیرا دی الکتریک پارالکتریک است.
اتصالات موازی متعدد روی پد 0.75 میلی متری از جریان های پالس بالاتر از 1 آمپر RMS پشتیبانی می کند.

در یک مسیر جریان هجوم داغ یا یک شبکه بایاس که مرحله قدرت باند گپ عریض را تغذیه می کند، نتیجه عملی، سرریز گیره کمتر و دم تسویه کوتاه تر از یک قطعه چند لایه با مقدار مشابه است، بدون نیاز به انباشت خازن ها به صورت سری برای زنده ماندن از نوسان ولتاژ.

گزینه های سفارشی سازی

این مدل به جای یک قلم کاتالوگ ثابت، یک پلت فرم قابل تنظیم است، بنابراین قطعه را می توان برای یک ریل، شکل موج یا ردپای خاص دوباره مشخص کرد. همین پلت فرم را می توان در صورت نیاز به طبقه بندی خرید یا کاتالوگ شما به خانواده دیگری از محصولات در ساختار کاتالوگ شما اختصاص داد.

پارامتر	استاندارد	سفارشی سازی موجود
ظرفیت خازنی	680 پیکوفاراد ±10%	10 پیکوفاراد تا 10000 پیکوفاراد؛ ±5% یا تلرانس دقیق تر
ولتاژ نامی	50 ولت DC	6.3 ولت تا 500 ولت DC؛ 1000 ولت با دی الکتریک پشته شده
ابعاد تراشه	0.75 × 0.75 × 0.20 میلی متر	0.25 × 0.25 میلی متر تا 5.0 × 5.0 میلی متر؛ مستطیلی تا نسبت ابعاد 4:1
دی الکتریک	COG/NPO (کلاس I)	X7R (کلاس II)، K بالا، پشته های لایه سفارشی
متالیزاسیون بالایی	TaN/TiW/Ni/Au، 2.5 میکرومتر Au	تا 5.0 میکرومتر Au؛ گزینه آلومینیوم
متالیزاسیون پشتی	TiW-Pt-Au، 1.0 میکرومتر Au	فقط Au؛ پیش رسوب AuSn یا AuGe؛ روکش نقره ای قابل تف جوشی
معماری طراحی	دو طرفه با حاشیه	یک طرفه با حاشیه یا بدون حاشیه
زمان تحویل نمونه اولیه	3-4 هفته	1-2 هفته تسریع شده برای مقادیر استاندارد

کاربردهای معمول

شبکه های هجوم داغ و محدود کننده جریان هجوم در کارت های خط مخابرات و دیتکام
گیره های بارگذاری و موج در ریل های 12-48 ولت
جداسازی بایاس برای مراحل قدرت باند گپ عریض در منابع تغذیه 28-50 ولت
فیلتر ورودی و خروجی در مبدل های سوئیچینگ با dV/dt بالا
سرکوب گذرا در قدرت صنعتی، تابلوهای اندازه گیری و ابزار دقیق
بای پاس RF پهن باند و مسدود کردن DC در ماژول های فشرده

خازن‌های MOS با ESL فوق‌العاده پایین 680 پیکوفاراد 50 ولت، مقاوم در برابر شکست نرم، لایه تکی تراشه‌ای برای حفاظت مدار

برچسب ها:

سلف مخروطی

محرک های پهن باند

سلف هسته هوا

سلف کویل هوا

هک کننده های MOS