Ultra-Low ESL 680 pF 50V MOS Kondensatoren Soft-Breakdown Toleranz Einzelschicht-Chip für den Schaltkreislaufschutz

Was dieses Produkt ist

Ein einlagiger MOS-Kondensator ist ein planarer Metall-Isolator-Halbleiter-Kondensator, der auf einem Float-Zone-Siliziumsubstrat mit einem thermisch gewachsenen SiO₂ Dielektrikum aufgebaut ist. Da der Strompfad eine einzige vertikale Barriere ohne interne Elektroden und ohne Vias darstellt, weist das Bauteil eine sehr geringe äquivalente Serieninduktivität und eine sehr geringe Streuung der Kapazität über Temperatur und Bias auf. Dieses Modell ist die Variante mit größerem Footprint, die für Schutz- und Hochstrom-Entkopplungsaufgaben bestimmt ist.

• Produkttyp: einlagiger MOS-Kondensator / bondfähiger Chip-Kondensator
• Modell: HACC681S50V750  |  Marke: Hoan
• Kapazität: 680 pF ±10%  |  Nennspannung: 50 V DC
• Chipgröße: 0,75 × 0,75 × 0,20 mm  |  Dielektrikum: COG/NPO (Klasse I)
• Montage: Bonden, oder leitfähiger Epoxidharz / AuSn / Sinter-Silber-Die-Attach

Geringe parasitäre Induktivität und Transientenverhalten

Die Fähigkeit eines Kondensators, eine Schiene während einer schnellen Transiente stabil zu halten, wird durch die Impedanz bestimmt, die er in den ersten Nanosekunden bietet, und auf diesen Zeitskalen wird die Impedanz von der ESL und nicht von der Kapazität dominiert. Die einlagige Konstruktion kollabiert die Stromschleife zu einem vertikalen Pfad von 0,20 mm, was den Transienten-Vorteil ausmacht.

• Intrinsische ESL unter 0,05 nH, etwa eine Größenordnung niedriger als bei einem vergleichbaren mehrlagigen Keramikchip
• ESR unter 0,05 Ω bei 1 GHz, so dass der Klemmschaltkreis auf dem Rand der Transiente eher resistiv als induktiv wirkt
• Eigenresonanzfrequenz über 1,5 GHz auf Chipebene, wodurch das Teil über das interessierende Band kapazitiv bleibt
• Keine DC-Bias-Derating und kein piezoelektrisches Klingeln, da das Dielektrikum paraelektrisch ist
• Mehrere parallele Bonds auf dem 0,75-mm-Pad unterstützen Pulsströme über 1 Aeff

In einem Hot-Plug-Einschaltpfad oder einem Bias-Netzwerk, das eine Breitband-Halbleiter-Leistungsstufe speist, ist das praktische Ergebnis ein geringerer Klemmüberschwinger und ein kürzerer Einschwingschwanz als bei einem Mehrschichtteil mit gleicher Kapazität, ohne Kondensatoren in Reihe zu schalten, um die Spannungsexkursion zu überstehen.

Anpassungsoptionen

Dieses Modell ist eine konfigurierbare Plattform und kein festes Katalogelement, so dass das Teil für eine bestimmte Schiene, Wellenform oder einen bestimmten Footprint neu spezifiziert werden kann. Dieselbe Plattform kann auch einer anderen Produktfamilie in Ihrer Katalogstruktur zugewiesen werden, wenn dies Ihre Einkaufs- oder Katalogklassifizierung erfordert.

Typische Anwendungen

• Hot-Plug- und Einschaltstrombegrenzungsnetzwerke in Telecom- und Datacom-Linecards
• Lastspitzen- und Stoßspannungsbegrenzung an 12–48 V Schienen
• Bias-Entkopplung für Breitband-Halbleiter-Leistungsstufen an 28–50 V Netzteilen
• Eingangs- und Ausgangsfilterung in Schaltwandlern mit hoher dV/dt
• Transientenunterdrückung in industriellen Stromversorgungs-, Mess- und Instrumentierungsplatinen
• Breitband-HF-Bypass und DC-Blockierung in kompakten Modulen