λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

Πολύ χαμηλό ESL 680 pF 50V Πυκνωτές MOS ανεκτικοί σε ήπια κατάρρευση Μονοστρωματικοί Τσιπ για Προστασία Κυκλώματος

Πολύ χαμηλό ESL 680 pF 50V Πυκνωτές MOS ανεκτικοί σε ήπια κατάρρευση Μονοστρωματικοί Τσιπ για Προστασία Κυκλώματος

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC681S50V750
MOQ: 10 τεμάχια
Όροι πληρωμής: T/T,L/C,D/A,D/P
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015
Ηλεκτρικός τύπος:
COG/NPO (Κλάση I, παραηλεκτρικό)
Υπόστρωμα:
Πυρίτιο ζώνης επίπλευσης, >1000 Ohm·cm
Συντελεστής πόλωσης DC (VCC):
<10 ppm/V
Ρεύμα διαρροής:
<10 nA @ 25°C, <100 nA @ 125°C (ονομαστική τάση)
Άνω Μεταλλοποίηση:
TaN/TiW/Ni/Au, ≥2,5µm Au
Προσαρμογή:
Χωρητικότητα, τάση, γεωμετρία, διηλεκτρικό, επιμετάλλωση και ανάθεση οικογένειας προϊόντων με δυνατό
Επισημαίνω:

680 pF Πυκνωτές MOS

,

50V μονοστρωματικοί πυκνωτές τσιπ

,

Πυκνωτές ανεκτικοί σε ήπια κατάρρευση

Περιγραφή προϊόντων

Τι είναι αυτό το προϊόν;

Ένας μονόστρωτος πυκνωτής MOS είναι ένας επίπεδος πυκνωτής μεταλλικού μονωτήρα-ημιαγωγού που είναι κατασκευασμένος σε ένα υπόστρωμα πυριτίου ζώνης πλεύσης με θερμικά καλλιεργημένο SiO2Επειδή η πορεία του ρεύματος είναι ένα ενιαίο κατακόρυφο φράγμα χωρίς εσωτερικά ηλεκτρόδια και χωρίς σωλήνες,η συσκευή παρουσιάζει πολύ χαμηλή αντίστοιχη επαγωγικότητα σειράς και πολύ μικρή διάχυση της χωρητικότητας σε θερμοκρασία και προκατάληψηΤο μοντέλο αυτό είναι η παραλλαγή με μεγαλύτερο αποτύπωμα, που προορίζεται για προστασία και ρόλους αποσύνδεσης υψηλού ρεύματος.

  • Τύπος προϊόντος: ενιαίο στρώμα MOS πυκνωτή / πυκνωτή τσιπ που συνδέεται με σύρμα
  • Μοντέλο: HACC681S50V750
  • Δυνατότητα: 680 pF ± 10%
  • Μέγεθος τσιπ: 0,75 × 0,75 × 0,20 mm.
  • Εγκατάσταση: σύνδεση σύρματος ή αγωγός εποξίου / AuSn / συγκολλημένο ασήμι


Χαμηλή παρασιτική επαγωγικότητα και παροδική ανταπόκριση

Η ικανότητα ενός πυκνωτή να κρατά σταθερό ένα σιδηρόδρομο κατά τη διάρκεια ενός γρήγορου μεταβατικού καθορίζεται από την αντίσταση που παρουσιάζει τα πρώτα λίγα νανοδευτερόλεπτα,και σε αυτές τις χρονικές κλίμακες η αντίσταση κυριαρχείται από το ESL και όχι από την χωρητικότηταΗ κατασκευή με ένα μόνο στρώμα καταρρέει τον κύκλο ρεύματος σε κάθετη διαδρομή 0,20 mm, από όπου προέρχεται το παροδικό πλεονέκτημα.

  • Εσωτερική ESL κάτω από 0,05 nH, περίπου κατά σειρά μεγέθους χαμηλότερη από μια συγκρίσιμη πολυεπίπεδη κεραμική τσιπ
  • Η ESR κάτω από 0,05 Ω σε 1 GHz, έτσι ώστε η σφραγίδα να συμπεριφέρεται αντισταθμιστικά και όχι επαγωγικά στην άκρη του μεταβατικού
  • Αυτοανακουφιστική συχνότητα άνω του επιπέδου τσιπ 1,5 GHz, διατηρώντας το μέρος χωρητικό σε όλη τη ζώνη ενδιαφέροντος
  • Χωρίς DC παραμερισμός και χωρίς πιεζοηλεκτρικό δαχτυλίδι, επειδή το διηλεκτρικό είναι παραηλεκτρικό
  • Πολλαπλές παράλληλες συνδέσεις στο 0,75 mm pad υποστηρίζουν ρεύματα παλμού άνω του 1 A rms

Σε μια διαδρομή εισροής με θερμό σύμπλεγμα ή σε ένα δίκτυο παραπροσανατολισμού που τροφοδοτεί ένα στάδιο ισχύος ευρείας ζώνης, το πρακτικό αποτέλεσμα είναι μικρότερη υπέρβαση της σύμπλεξης και μικρότερη ουρά καθιέρωσης σε σύγκριση με ένα πολυεπίπεδο με την ίδια αξία,χωρίς να στοιβάζουν τους πυκνωτές σε σειρά για να επιβιώσουν από την εκδρομή τάσης.


Επιλογές προσαρμογής

Το μοντέλο αυτό είναι μια ρυθμιζόμενη πλατφόρμα και όχι ένα σταθερό στοιχείο καταλόγου, έτσι ώστε το μέρος να μπορεί να επαναπροσδιοριστεί για μια συγκεκριμένη σιδηροδρομική γραμμή, σχήμα κύματος ή αποτύπωση.Η ίδια πλατφόρμα μπορεί επίσης να αναδιατεθεί σε άλλη οικογένεια προϊόντων στη δομή του καταλόγου σας, όταν το απαιτεί η αγορά ή η ταξινόμηση του καταλόγου σας..


Παράμετρος Τύπος Διαθέσιμη προσαρμογή
Δυνατότητα 680 pF ± 10% 10 pF έως 10.000 pF· ανοχή ± 5% ή μεγαλύτερη
Διάταξη 50 V συνεχής 6.3 V έως 500 V συνεχούς ρεύματος· 1000 V με διαμετρικό στοιβαγμένο
Μέγεθος τσιπ 00,75 × 0,75 × 0,20 mm 0.25 × 0,25 mm έως 5,0 × 5,0 mm· ορθογώνια έως αναλογία όψεων 4:1
Δηλεκτρικό COG/NPO (Τάξη Ι) X7R (Τάξη II), υψηλής K, προσαρμοσμένες στοιβάδες στοιβάδων
Επάνω μεταλλικοποίηση TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 μm Au Μέχρι 5,0 μm Au· επιλογή αλουμινίου
Μεταλλικοποίηση πίσω TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au Μόνο Au· προεγκατάσταση AuSn ή AuGe· ασημένιο συνθετικό φινίρισμα
Αρχιτεκτονική σχεδιασμού Δύο πλευρικά περιμετρικά Μία μεμονωμένη με όριο ή χωρίς όριο
Χρόνος προετοιμασίας του πρωτοτύπου 3 ∙ 4 εβδομάδες Επιταχυνόμενη 1 ̇ 2 εβδομάδες για τις τυποποιημένες τιμές


Τυπικές εφαρμογές

  • Δίκτυα περιορισμού θερμής σύνδεσης και εισόδου σε κάρτες γραμμών τηλεπικοινωνιών και δεδομένων
  • Συσφίξιμο φορτίου και υπερχείλισης σε σιδηροτροχιές 12·48 V
  • Αποσύνδεση διαχωρισμού για σταδίους ισχύος ευρείας ζώνης σε τροφοδοσίες 28·50 V
  • Φίλτρο εισόδου και εξόδου σε μετατροπείς διακόπτη με υψηλό dV/dt
  • Περπατική καταστολή σε βιομηχανικές πίνακες ισχύος, μετρήσεων και οργάνων
  • Παράκαμψη ραδιοσυχνοτήτων ευρυζωνικής σύνδεσης και αποκλεισμός συνεχούς ρεύματος σε συμπαγείς μονάδες


Πολύ χαμηλό ESL 680 pF 50V Πυκνωτές MOS ανεκτικοί σε ήπια κατάρρευση Μονοστρωματικοί Τσιπ για Προστασία Κυκλώματος