| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HACC681S50V750 |
| Quantidade mínima: | 10 peças |
| Condições de pagamento: | T/T,L/C,D/A,D/P |
Um capacitor MOS de camada única é um capacitor planar metal-isolante-semicondutor construído em um substrato de silício float-zone com um SiO termicamente crescido2 dielétrico. Como o caminho de corrente é uma única barreira vertical sem eletrodos internos e sem vias, o dispositivo apresenta indutância série equivalente muito baixa e uma dispersão muito pequena na capacitância em função da temperatura e da polarização. Este modelo é a variante de maior área de ocupação, destinada a funções de proteção e desacoplamento de alta corrente.
A capacidade de um capacitor de manter uma linha estável durante um transiente rápido é definida pela impedância que ele apresenta nos primeiros nanossegundos, e nessas escalas de tempo, a impedância é dominada pela ESL em vez da capacitância. A construção de camada única colapsa o loop de corrente para um caminho vertical de 0,20 mm, que é onde reside a vantagem transiente.
Em um caminho de inrush de hot-plug ou em uma rede de polarização que alimenta um estágio de potência de banda larga, o resultado prático é um overshoot de clamp menor e uma cauda de assentamento mais curta do que uma peça multicamadas de mesmo valor, sem empilhar capacitores em série para suportar a excursão de tensão.
Este modelo é uma plataforma configurável em vez de um item de catálogo fixo, portanto, a peça pode ser reespecificada para uma determinada linha, forma de onda ou footprint. A mesma plataforma também pode ser realocada para outra família de produtos em sua estrutura de catálogo quando sua classificação de compras ou catálogo assim o exigir.
| Parâmetro | Padrão | Personalização disponível |
| Capacitância | 680 pF ±10% | 10 pF a 10.000 pF; ±5% ou tolerância mais apertada |
| Tensão nominal | 50 V DC | 6,3 V a 500 V DC; 1000 V com dielétrico empilhado |
| Dimensões do chip | 0,75 × 0,75 × 0,20 mm | 0,25 × 0,25 mm a 5,0 × 5,0 mm; retangular até proporção de 4:1 |
| Dielétrico | COG/NPO (Classe I) | X7R (Classe II), alta-K, pilhas de camadas personalizadas |
| Metalização superior | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au | Até 5,0 µm Au; opção de alumínio |
| Metalização traseira | TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au | Apenas Au; pré-deposição de AuSn ou AuGe; acabamento sinterizável com prata |
| Arquitetura de design | Com borda dupla face | Com borda unilateral ou sem borda |
| Tempo de protótipo | 3–4 semanas | 1–2 semanas com urgência para valores padrão |
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