회로 보호용 초저 ESL 680 pF 50V MOS 커패시터 소프트-브레이크다운 내성 단일 레이어 칩

이 제품은 무엇인가요

단일 층 MOS 커패시터는 플로트 존 실리콘 기판에 열적으로 성장된 SiO를 기반으로 하는 평면 금속-절연체-반도체 커패시터입니다.₂ 유전체. 전류 경로는 내부 전극이나 비아 없이 단일 수직 장벽이므로 장치는 매우 낮은 등가 직렬 인덕턴스와 온도 및 바이어스에 걸쳐 매우 작은 커패시턴스 편차를 제공합니다. 이 모델은 보호 및 고전류 디커플링 역할을 위한 더 큰 풋프린트 변형입니다.

• 제품 유형: 단일 층 MOS 커패시터 / 와이어 본딩 가능 칩 커패시터
• 모델: HACC681S50V750  |  브랜드: Hoan
• 커패시턴스: 680 pF ±10%  |  정격 전압: 50 V DC
• 칩 크기: 0.75 × 0.75 × 0.20 mm  |  유전체: COG/NPO (Class I)
• 장착: 와이어 본딩 또는 전도성 에폭시 / AuSn / 소결 은 다이 어태치

낮은 기생 인덕턴스 및 과도 응답

빠른 과도 상태 동안 레일을 안정적으로 유지하는 커패시터의 능력은 처음 몇 나노초 동안 제공하는 임피던스에 의해 결정되며, 이러한 시간 규모에서는 임피던스가 커패시턴스보다 ESL에 의해 지배됩니다. 단일 층 구조는 전류 루프를 0.20mm 수직 경로로 축소하여 과도 이점을 얻습니다.

• 내재 ESL 0.05 nH 미만, 비교 가능한 다층 세라믹 칩보다 약 10배 낮음
• 1GHz에서 ESR 0.05 Ω 미만, 따라서 클램프는 과도 상태의 가장자리에서 인덕티브가 아닌 저항적으로 동작합니다.
• 칩 레벨에서 1.5 GHz 이상의 자체 공진 주파수, 관심 대역에서 커패시티브 유지
• 유전체가 상전이 유전체이므로 DC 바이어스 디레이팅 및 압전 울림 없음
• 0.75mm 패드의 여러 병렬 본딩은 1A rms 이상의 펄스 전류를 지원합니다.

핫 플러그 인러시 경로 또는 광대역 갭 전력 스테이지에 공급되는 바이어스 네트워크에서 실질적인 결과는 전압 편차를 견디기 위해 커패시터를 직렬로 쌓을 필요 없이 동일한 값의 다층 부품보다 낮은 클램프 오버슈트와 더 짧은 안정화 테일입니다.

맞춤 설정 옵션

이 모델은 고정된 카탈로그 항목이 아닌 구성 가능한 플랫폼이므로 특정 레일, 파형 또는 풋프린트에 대해 부품을 재지정할 수 있습니다. 구매 또는 카탈로그 분류가 요구하는 경우 동일한 플랫폼을 카탈로그 구조의 다른 제품군에 재할당할 수도 있습니다.

일반적인 응용 분야

• 통신 및 데이터 통신 라인 카드의 핫 플러그 및 인러시 제한 네트워크
• 12-48V 레일의 로드 덤프 및 서지 클램핑
• 28-50V 전원의 광대역 갭 전력 스테이지용 바이어스 디커플링
• 고 dV/dt 스위칭 컨버터의 입력 및 출력 필터링
• 산업용 전력, 계량 및 계측 보드의 과도 억제
• 소형 모듈의 광대역 RF 바이패스 및 DC 차단