تفاصيل المنتجات

المنزل منتجات

مكثفات MOS ذات مقاومة ESL فائقة الانخفاض 680 بيكوفاراد 50 فولت، تتحمل الانهيار الناعم، طبقة واحدة شريحة لحماية الدائرة

اسم العلامة التجارية:	Hoan
رقم الموديل:	HACC681S50V750
موك:	10 قطع
شروط الدفع:	تي/تي، خطاب الاعتماد، د/أ، د/ف

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنشي، الصين

إصدار الشهادات:

ISO 9001:2015

نوع العازل:

COG/NPO (الفئة الأولى، شبه كهربائي)

الركيزة:

سيليكون المنطقة العائمة، > 1000 أوم·سم

معامل انحياز التيار المستمر (VCC):

<10 جزء في المليون/حجم

تسرب تيار:

<10 غ عند 25 درجة مئوية، <100 غ عند 125 درجة مئوية (الجهد المقنن)

تعدين العلوي:

TaN/TiW/Ni/Au، ≥2.5 ميكرومتر Au

التخصيص:

السعة والجهد والهندسة والعزل الكهربائي والتعدين وتخصيص عائلة المنتج قابلة للتكوين

إبراز:

مكثفات MOS بسعة 680 بيكوفاراد

مكثفات شريحة بطبقة واحدة بجهد 50 فولت

مكثفات تتحمل الانهيار الناعم

وصف المنتج

ما هو هذا المنتج

مكثف MOS من طبقة واحدة هو مكثف معدني عازل نصف موصل مسطح مبني على رصيف السيليكون في منطقة العائمة مع SiO المزروع حراريًا₂لأن مسار التيار هو حاجز عمودي واحد بدون أقطاب كهربائية داخلية ودون قنواتيقدم الجهاز إقناعًا متكافئًا منخفضًا جدًا في السلسلة وانتشارًا صغيرًا جدًا في القدرة على درجة الحرارة والتحيزهذا النموذج هو الاختلاف الأكبر، المقصود لحماية وأدوار فصل التيار العالي.

نوع المنتج: مكثف MOS ذو طبقة واحدة / مكثف شريحة قابلة للاتصال بالأسلاك
النموذج: HACC681S50V750
سعة: 680 pF ± 10%
حجم الشريحة: 0.75 × 0.75 × 0.20 ملم.
التثبيت: ربط الأسلاك، أو البوكسي الموصلة / AuSn / الفضة المحفوفة

الحثية الطفيلية المنخفضة والاستجابة العابرة

قدرة المكثف على إبقاء السكة الحديدية ثابتة خلال انتقال سريع يتم تحديدها بواسطة العائق الذي يقدمه في أول بضع نانو ثانية،وفي تلك المقاييس الزمنية، تهيمن المعوقة على ESL بدلاً من السعةإن بناء الطبقة الواحدة يدمج حلقة التيار إلى مسار عمودي 0.20 ملم، وهو المكان الذي تأتي منه الميزة العابرة.

ESL الداخلي أقل من 0.05 nH ، أقل من حد كبير من شريحة السيراميك متعددة الطبقات المقابلة
ESR أقل من 0.05 Ω في 1 GHz ، لذلك يتصرف المشبك بشكل مقاوم بدلاً من الاستقراء في حافة الممر
تردد الرنين الذاتي أعلى من مستوى شريحة 1.5 GHz ، والحفاظ على الجزء السعة عبر النطاق ذو الاهتمام
لا يوجد تحيز متزامن و لا يوجد حلقات بييزو كهربائية، لأن الديليكتريك شبه كهربائي
روابط متوازية متعددة على مساحة 0.75 ملم تدعم تيار نبضات فوق 1 A rms

في مسار الدخول الساخن أو شبكة التحيز التي تغذي مرحلة طاقة واسعة النطاق ، فإن النتيجة العملية هي زيادة أقل في ضغط المشبك وذيل استقرار أقصر من جزء متعدد الطبقات بنفس القيمة ،بدون تكديس مكثفات في سلسلة لمواجهة رحلة الجهد.

خيارات التخصيص

هذا النموذج هو منصة قابلة للتكوين بدلاً من عنصر كتالوج ثابت ، لذلك يمكن إعادة تحديد الجزء لقطار معين أو شكل موجة أو بصمة.يمكن أيضا إعادة تعيين نفس المنصة إلى عائلة أخرى من المنتجات في هيكل الكتالوج الخاص بك عندما يقتضي شراء أو تصنيف الكتالوج الخاص بك.

المعلم	المعيار	تخصيص متاح
السعة	680 pF ± 10%	10 pF إلى 10،000 pF؛ ± 5٪ أو أكثر صرامة
الجهد الاسمي	50 فولت DC	6.3 فولت إلى 500 فولت DC؛ 1000 فولت مع الديليكتريك المتراكم
أبعاد الشريحة	0.75 × 0.75 × 0.20 ملم	0.25 × 0.25 ملم إلى 5.0 × 5.0 ملم؛ مستطيل حتى نسبة شكل 4: 1
الديليكتريك	COG/NPO (الفئة I)	X7R (الطبقة الثانية) ، كيه عالية، مجموعات طبقة مخصصة
المعادن العليا	TaN/TiW/Ni/Au، 2.5 μm Au	ما يصل إلى 5.0 μm Au؛ الخيار الألومنيوم
المعادن الخلفية	TiW-Pt-Au، 1.0 μm Au	فقط Au؛ AuSn أو AuGe التسخير المسبق؛ النهاية الصلبة الصلباء
تصميم الهندسة المعمارية	مزدوجة الجانبين محاطة	أحادية الجانب محاطة أو بدون حافة
وقت الإنتهاء من نموذج	ثلاثة أربعة أسابيع	أسبوع واحد إلى أسبوعين سريعًا للقيم القياسية

التطبيقات النموذجية

شبكات الحد من التوصيل الساخن والإدخال في بطاقات خطوط الاتصالات والبيانات
ضغط القيود على القضبان من 12V إلى 48V
تفكيك الانحياز لمراحل الطاقة ذات النطاق العريض على مصادر 2850 فولت
تصفية المدخلات والمخرجات في محولات التبديل عالية dV/dt
القمع المؤقت في لوحات الطاقة الصناعية والقياسات والأجهزة
تجنب الراديو اللاسلكي الواسع النطاق وحجب التيار المباشر في الوحدات المدمجة

مكثفات MOS ذات مقاومة ESL فائقة الانخفاض 680 بيكوفاراد 50 فولت، تتحمل الانهيار الناعم، طبقة واحدة شريحة لحماية الدائرة

العلامات:

محث مخروطي

محاثات النطاق العريض

مغو الهواء الأساسية

مغو لفائف الهواء