Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
MOS Kapasitörler
Created with Pixso.

Devre Koruması için Ultra Düşük ESL 680 pF 50V MOS Kapasitörler Yumuşak Kırılma Toleranslı Tek Katmanlı Çip

Devre Koruması için Ultra Düşük ESL 680 pF 50V MOS Kapasitörler Yumuşak Kırılma Toleranslı Tek Katmanlı Çip

Marka Adı: Hoan
Model Numarası: HACC681S50V750
Adedi: 10 Adet
Ödeme Koşulları: T/T,L/C,D/A,D/P
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Şaanksi, Çin
Sertifika:
ISO 9001:2015
Dielektrik Tipi:
COG/NPO (Sınıf I, paraelektrik)
Yüzey:
Yüzen bölge silikonu, >1000 Ohm·cm
DC Önyargı Katsayısı (VCC):
<10 ppm/V
Sızıntı akımı:
<10 nA @ 25°C, <100 nA @ 125°C (nominal gerilim)
Üst Metalizasyon:
TaN/TiW/Ni/Au, ≥2,5μm Au
Özelleştirme:
Kapasitans, voltaj, geometri, dielektrik, metalizasyon ve ürün ailesi ataması yapılandırılabilir
Vurgulamak:

680 pF MOS Kapasitörler

,

50V tek katmanlı çip kapasitörler

,

Yumuşak kırılma toleranslı kapasitörler

Ürün Tanımı

Bu ürün nedir

Tek katmanlı bir MOS kapasitör, termal olarak büyütülmüş bir SiO üzerinde yüzer bölgeli bir silikon alt tabaka üzerine inşa edilmiş düz bir metal-izolatör-yarı iletken kapasitördür2 dielektrik. Akım yolu, dahili elektrotları ve geçitleri olmayan tek bir dikey bariyer olduğundan, cihaz çok düşük eşdeğer seri endüktans ve sıcaklık ve sapma boyunca kapasitansta çok küçük bir yayılma sunar. Bu model, koruma ve yüksek akım ayırma rolleri için tasarlanmış daha büyük ayak izi varyantıdır.

  • Ürün tipi: tek katmanlı MOS kapasitör / tel bağlantılı çip kapasitör
  • Model: HACC681S50V750  |  Marka: Hoan
  • Kapasitans: 680 pF ±10%  |  Anma gerilimi: 50 V DC
  • Çip boyutu: 0.75 × 0.75 × 0.20 mm  |  Dielektrik: COG/NPO (Sınıf I)
  • Montaj: tel bağlama veya iletken epoksi / AuSn / sinterlenmiş gümüş çip montajı


Düşük parazitik endüktans ve geçici yanıt

Bir kapasitörün hızlı bir geçici durum sırasında bir rayı sabit tutma yeteneği, ilk birkaç nanosaniyede sunduğu empedans tarafından belirlenir ve bu zaman ölçeklerinde empedans, kapasitanstan çok ESL tarafından domine edilir. Tek katmanlı yapı, akım döngüsünü 0.20 mm'lik dikey bir yola çöker, geçici avantajı buradan gelir.

  • 0.05 nH'nin altında içsel ESL, karşılaştırılabilir çok katmanlı seramik çipten yaklaşık on kat daha düşük
  • 1 GHz'de 0.05 Ω'nın altında ESR, bu nedenle kelepçe, geçici durumun kenarında endüktif yerine dirençli davranır
  • 1.5 GHz çip seviyesinin üzerinde kendi kendine rezonans frekansı, parçayı ilgi bandı boyunca kapasitif tutar
  • DC sapması düşüşü yok ve piezoelektrik halka sesi yok, çünkü dielektrik paraelektriktir
  • 0.75 mm ped üzerindeki birden fazla paralel bağ, 1 A rms'nin üzerinde darbe akımlarını destekler

Sıcak takmalı ani akım yolu veya geniş bant aralıklı güç aşamasına besleme yapan bir sapma ağı, pratik sonuç, voltaj dalgalanmasına dayanmak için kapasitörleri seri olarak istiflemek zorunda kalmadan, aynı değere sahip çok katmanlı bir parçadan daha düşük bir kelepçe aşımı ve daha kısa bir yerleşme kuyruğudur.


Özelleştirme seçenekleri

Bu model sabit bir katalog öğesi yerine yapılandırılabilir bir platformdur, bu nedenle parça belirli bir ray, dalga formu veya ayak izi için yeniden belirtilebilir. Satın alma veya katalog sınıflandırmanız gerektiriyorsa, aynı platform katalog yapınızdaki başka bir ürün ailesine de yeniden atanabilir.


Parametre Standart Mevcut özelleştirme
Kapasitans 680 pF ±10% 10 pF ila 10.000 pF; ±%5 veya daha sıkı tolerans
Anma gerilimi 50 V DC 6,3 V ila 500 V DC; istiflenmiş dielektrik ile 1000 V
Çip boyutları 0.75 × 0.75 × 0.20 mm 0.25 × 0.25 mm ila 5.0 × 5.0 mm; 4:1 en boy oranına kadar dikdörtgen
Dielektrik COG/NPO (Sınıf I) X7R (Sınıf II), yüksek K, özel katman yığınları
Üst metalizasyon TaN/TiW/Ni/Au, 2.5 µm Au 5.0 µm Au'ya kadar; alüminyum seçeneği
Arka yüz metalizasyonu TiW-Pt-Au, 1.0 µm Au Yalnızca Au; AuSn veya AuGe ön kaplama; gümüş sinterlenebilir yüzey
Tasarım mimarisi Çift taraflı kenarlıklı Tek taraflı kenarlıklı veya kenarlıksız
Prototip teslim süresi 3-4 hafta Standart değerler için hızlandırılmış 1-2 hafta


Tipik uygulamalar

  • Telekom ve veri iletişim kartlarındaki sıcak takma ve ani akım sınırlama ağları
  • 12-48 V raylarında yük boşalması ve dalgalanma kelepçelemesi
  • 28-50 V güç kaynaklarındaki geniş bant aralıklı güç aşamaları için sapma ayırma
  • Yüksek dV/dt'li anahtarlamalı dönüştürücülerde giriş ve çıkış filtreleme
  • Endüstriyel güç, ölçüm ve enstrümantasyon kartlarında geçici bastırma
  • Kompakt modüllerde geniş bant RF baypaslama ve DC engelleme


Devre Koruması için Ultra Düşük ESL 680 pF 50V MOS Kapasitörler Yumuşak Kırılma Toleranslı Tek Katmanlı Çip