HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ブランド名: | Hoan |
| モデル番号: | HACC101S50V100 |
| MOQ: | 10個 |
| 支払い条件: | L/C、D/A、D/P、T/T |
商品の定義:HACC101S50V100は,100 pF ± 10%容量と50 V DCの放射線硬化単層金属酸化半導体 (MOS) コンデンサである.高耐性浮気ゾーンシリコン (>1000 Ω·cm) に構築され,300nmの熱性SiO2ダイエレクトリックとTiW-Auトップ/TiW-Pt-Auバックサイド金属化システム,0.50 × 0.50 × 0.15mmのワイヤー結合チップで,宇宙,衛星,低相騒音と正確なシミュレーションモデルを必要とする他の放射線にさらされたRFおよびアナログ回路.
| パラメータ | 価値 | 条件 |
| 容量 | 100 pF ±10% (±5%利用可能) | 1MHz,1.0Vrms |
| 定数直流電圧 | 50V | 連続 |
| ダイレクトリック 抵抗電圧 | >125V DC (250%名乗) | 1分 25 °C |
| ダイレクトリックタイプ | 熱性シオ2, 300nm,無形 | ほら |
| 基板 | 浮気ゾーンSi, > 1000 Ω·cm | ほら |
| 内在チップESL | <0.05 nH | 組み込まれてない |
| Q因数 | >2000 @ 1 MHz / >300 @ 1 GHz | 典型的な |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | 典型的な |
| 消耗因子 | ≤2.5% @ 1 MHz | 1.0 Vrms |
| 断熱抵抗 | ≥104MΩ | 定位電圧で |
| TCCについて | 0 ± 30 ppm/°C | −55 °C から +125 °C |
| 流出電流 | <10 nA @ 25 °C / <100 nA @ 125 °C | 50 V DC で |
| ESDクラス | クラス0 HBM (JESD22-A114) | ほら |
| 湿度感 | MSL 1 (J-STD-020 制限のない床使用期間) | ほら |
| TID 硬さ | >100クラド (Si) | ESCC 22900 |
| SEE 免責 | ロックアップ経路なし,SEUに敏感なノードなし | ほら |
| 動作温度 | −55 °C から +125 °C | ほら |
| 貯蔵温度 | −65 °Cから+150 °C | ほら |
| トップ金属化 | TiW-Au, ≥2.5 μm Au | ほら |
| 裏側金属化 | TiW-Pt-Au, ≥1.0 μm Au (Ptバリア) | ほら |
| マウントタイプ | ワイヤー・ボンド可能/ AuSn ユーテクトスまたは導電性エポキシス・ダイ・アタッチ | ほら |
| ワイヤー・ボンド引力 | >6gf (25μm Auワイヤ) | ほら |
| チップの寸法 | 0.50 × 0.50 × 0.15 mm (20 × 20 × 6ミリ) | ほら |
| RoHS | 適合している (EU 2015/863) | ほら |
