Радиационно-стойкие МОП-конденсаторы 50 В Однослойный чип-конденсатор 100 пФ для систем космических спутников

Радиационнозащищенный конденсатор MOS HACC101S50V100

Определение продукта:HACC101S50V100 представляет собой радиоустойчивый однослойный металлоксидный полупроводниковый конденсатор (MOS) с емкостью 100 пФ ± 10% и номиналом 50 В постоянного тока.Он построен на высокорезистивном кремниевом зоне плавания (> 1000 Ω · cm) с тепловым SiO 300 нм₂Диэлектрический и TiW-Au верхний / TiW-Pt-Au задний металлизационный системы, в 0,50 × 0,50 × 0,15 мм проволока-связываемый чип.и другие радиочастотные и аналоговые схемы, подверженные облучению, которые также требуют низкого уровня фазового шума и точных моделей моделирования.

На первый взгляд

• Конденсация: 100 pF ±10% (допустимая допустимая допустимость ±5%)
• Номинальное напряжение постоянного тока: 50 В
• Общая ионизирующая доза: > 100 krad ((Si), стандарт испытания ESCC 22900
• Внутренний чип ESL: <0,05 nH
• Диэлектрический: тепловой SiO₂, 300 нм, аморфный (без пьезоэлектрического ответа)
• Размер микросхемы: 0,50 × 0,50 × 0,15 мм, проводный / эвтектический

Спецификации (T = 25 °C, если не указано)

Типичные применения

• Спутниковый транспондер, TT&C и сети блокировки постоянного тока полезной нагрузки / обхода
• Циркуты резервуаров для осцилляторов космических аппаратов (VCO) и фильтры петли PLL
• Разъединение модулей фазового массива в радиационной среде
• Синтезаторы низкофазного шума и эталонные цепи
• Аэрокосмические и высоконадежные радиочастотные фронт-энды, требующие проверенных моделей моделирования