Kondensatory MOS o odporności na promieniowanie 50V jednowarstwowa 100 pF

Kondensator MOS utwardzony radiacyjnie HACC101S50V100 — 100 pF 50 V Jednowarstwowy chip do systemów kosmicznych i satelitarnych

Definicja produktu: HACC101S50V100 to utwardzony radiacyjnie jednowarstwowy kondensator metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowy (MOS) o pojemności 100 pF ±10% i napięciu znamionowym 50 V DC. Jest zbudowany na bazie krzemu typu float-zone o wysokiej rezystywności (>1000 Ω·cm) z dielektrykiem termicznym SiO₂ o grubości 300 nm i systemem metalizacji TiW-Au na górze / TiW-Pt-Au na spodzie, w chipie o wymiarach 0,50 × 0,50 × 0,15 mm z możliwością połączenia drutowego. Jest przeznaczony do zastosowań w przestrzeni kosmicznej, satelitach i innych obwodach RF i analogowych narażonych na promieniowanie, które wymagają również niskich szumów fazowych i dokładnych modeli symulacyjnych.

W skrócie

• Pojemność: 100 pF ±10% (±5% dostępne)
• Znamionowe napięcie DC: 50 V
• Całkowita dawka jonizująca: >100 krad(Si), standard testowy ESCC 22900
• Wewnętrzna indukcyjność własna chipa ESL: <0.05 nH
• Dielektryk: termiczny SiO₂, 300 nm, amorficzny (brak odpowiedzi piezoelektrycznej)
• Rozmiar chipa: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, z możliwością połączenia drutowego / eutektyczne mocowanie chipa

Specyfikacje (T = 25 °C, chyba że zaznaczono inaczej)

Typowe zastosowania

• Transponder satelitarny, sieci blokowania / obejścia DC TT&C i ładunku użytecznego
• Obwody rezonansowe oscylatora kosmicznego (VCO) i filtry pętli PLL
• Odwzajemnianie odsprzęgania biasu modułu z fazowaną anteną w środowiskach radiacyjnych
• Syntezatory o niskich szumach fazowych i łańcuchy referencyjne
• Aerospace i front-endy RF o wysokiej niezawodności wymagające zweryfikowanych modeli symulacyjnych