Kondensator MOS yang Dikeraskan dengan Radiasi 50V Lembar Tunggal 100 pF Capacitor Chip Untuk Sistem Satelit Luar Angkasa

Kapasitor MOS Tahan Radiasi HACC101S50V100 — 100 pF 50 V Lapisan Tunggal Chip untuk Sistem Luar Angkasa dan Satelit

Definisi Produk: HACC101S50V100 adalah kapasitor logam-oksida-semikonduktor (MOS) lapisan tunggal tahan radiasi dengan kapasitansi 100 pF ±10% dan peringkat tegangan DC 50 V. Dibangun di atas silikon zona apung dengan resistivitas tinggi (>1000 Ω·cm) dengan dielektrik termal SiO₂ 300 nm dan sistem metalisasi atas TiW-Au / belakang TiW-Pt-Au, dalam chip 0,50 × 0,50 × 0,15 mm yang dapat diikat kawat. Dirancang untuk sirkuit RF dan analog yang terpapar radiasi di luar angkasa, satelit, dan lingkungan lain yang juga memerlukan kebisingan fase rendah dan model simulasi yang akurat.

Sekilas

• Kapasitansi: 100 pF ±10% (±5% toleransi tersedia)
• Tegangan DC Terperingkat: 50 V
• Dosis Pengion Total: >100 krad(Si), standar uji ESCC 22900
• ESL Chip Intrinsik: <0,05 nH
• Dielektrik: termal SiO₂, 300 nm, amorf (tidak ada respons piezoelektrik)
• Ukuran chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, dapat diikat kawat / sambungan die eutektik

Spesifikasi (T = 25 °C kecuali dicatat)

Aplikasi Khas

• Transponder satelit, jaringan pemblokiran / bypass DC TT&C dan muatan
• Sirkuit tangki osilator pesawat ruang angkasa (VCO) dan filter loop PLL
• Dekopling bias modul larik bertahap di lingkungan radiasi
• Sintesisator kebisingan fase rendah dan rantai referensi
• Frontend RF kedirgantaraan dan keandalan tinggi yang memerlukan model simulasi yang divalidasi