Capacitadores MOS resistentes a la radiación 50V de capa única 100 pF Chip de condensador para sistemas espaciales por satélite

Capacitador MOS resistente a la radiación HACC101S50V100 100 pF 50 V Chip de capa única para sistemas espaciales y satelitales

Definición del producto:El HACC101S50V100 es un condensador MOS de una sola capa de óxido metálico semiconductor (MOS) endurecido por radiación con una capacidad de 100 pF ± 10% y una potencia de 50 V de CC.Está construido sobre silicio de zona flotante de alta resistividad (> 1000 Ω · cm) con un SiO térmico de 300 nm₂un sistema dieléctrico y un sistema de metalización de TiW-Au superior / TiW-Pt-Au posterior, en un chip de cable de 0,50 × 0,50 × 0,15 mm. Está diseñado para el espacio, el satélite,y otros circuitos RF y analógicos expuestos a la radiación que también requieren un ruido de fase bajo y modelos de simulación precisos.

Un vistazo

• Capacidad: 100 pF ±10% (tolerancia disponible de ±5%)
• Voltagem nominal de corriente continua: 50 V
• Dosis ionizante total: > 100 krad ((Si), norma de ensayo ESCC 22900
• Las medidas de seguridad se aplicarán a los dispositivos de seguridad de los vehículos.
• Dieléctrico: SiO térmico₂, 300 nm, amorfo (sin respuesta piezoeléctrica)
• Tamaño del chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, fijación por alambre / pieza eutéctica

Especificaciones (T = 25 °C, a menos que se indique)

Aplicaciones típicas

• Transpondedor por satélite, redes TT&C y de bloqueo/desvío de carga útil en CC
• Circuitos de tanques para osciladores de naves espaciales (VCO) y filtros de bucle PLL
• Desacoplamiento del sesgo del módulo de matriz en fase en entornos de radiación
• Los demás componentes de las máquinas de la partida 8545
• Frente de RF de alta fiabilidad y aeroespacial que requieren modelos de simulación validados