Capacitores MOS resistentes à radiação 50V de camada única 100 pF Chip de capacitor para sistemas espaciais por satélite

Capacitor MOS resistente à radiação HACC101S50V100 100 pF 50 V Chip de camada única para sistemas espaciais e de satélite

Definição do produto:O HACC101S50V100 é um condensador de semi-condutor de óxido metálico (MOS) de camada única, resistente à radiação, com 100 pF ± 10% de capacidade e uma classificação de 50 V DC.É construído sobre silício de zona flutuante de alta resistividade (> 1000 Ω·cm) com um SiO térmico de 300 nm₂sistema de metalização superior/posterior TiW-Au-Pt-Au, em um chip ligável por fio de 0,50 × 0,50 × 0,15 mm.e outros circuitos RF e analógicos expostos à radiação que também exigem baixo ruído de fase e modelos de simulação precisos.

De um olhar

• Capacidade: 100 pF ± 10% (tolerância de ± 5% disponível)
• Tensão nominal de CC: 50 V
• Dose ionizante total: > 100 krad ((Si), padrão de ensaio ESCC 22900
• ESL do chip intrínseco: < 0,05 nH
• Dieléctrico: SiO térmico₂, 300 nm, amorfo (sem resposta piezoelétrica)
• Tamanho do chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, ligável por fio / eutectic die attach

Especificações (T = 25 °C, salvo indicação)

Aplicações típicas

• Transponder por satélite, redes TT&C e de bloqueio/desvio de carga útil em CC
• Circuitos de tanques de osciladores de naves espaciais (VCO) e filtros de circuito PLL
• Desacoplamento do modulo de desvio de matriz de fases em ambientes de radiação
• Sinthes e cadeias de referência de baixo ruído
• Aeronáutica e front-ends de RF de alta fiabilidade que exijam modelos de simulação validados