HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Επωνυμία: | Hoan |
| Αριθμός μοντέλου: | HACC101S50V100 |
| MOQ: | 10 τεμάχια |
| Όροι πληρωμής: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Ορισμός προϊόντος:Ο HACC101S50V100 είναι ένας πυκνωμένος με ακτινοβολία μονόστρωτος πυκνωτής μεταλλικού οξειδίου (MOS) με χωρητικότητα 100 pF ± 10% και ονομαστική ισχύ DC 50 V.Είναι κατασκευασμένο από πυρίτιο υψηλής αντίστασης πλωτής ζώνης (> 1000 Ω·cm) με θερμικό SiO 300 nm2Διοργανώθηκε για χρήση στο διάστημα, σε δορυφορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροπορικές, αεροκαι άλλα κυκλώματα RF και αναλογικά που εκτίθενται σε ακτινοβολία και απαιτούν επίσης χαμηλό θόρυβο φάσης και ακριβή μοντέλα προσομοίωσης.
| Παράμετρος | Αξία | Υπόθεση |
| Δυνατότητα | 100 pF ±10% (±5% διαθέσιμα) | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Διορισμένη τάση συνεχούς ρεύματος | 50 V | Συνεχή |
| Ηλεκτρική ανθεκτική τάση | > 125 V DC (250% ονομαστικό) | 1 λεπτό, 25 °C |
| Ηλεκτρικός τύπος | Θερμικό SiO2, 300 nm, άμορφη | Επικεφαλής |
| Υπόστρωμα | Ζώνη πλεύσης Si, > 1000 Ω·cm | Επικεφαλής |
| Εσωτερικό τσιπ ESL | < 0,05 nH | Αποενσωματωμένο |
| Ο παράγοντας Q | > 2000 @ 1 MHz / > 300 @ 1 GHz | Τυπικό |
| ESR @ 1 GHz | <0,1 Ω | Τυπικό |
| Παράγοντας διάσπασης | ≤ 2,5% @ 1 MHz | 1.0 Vrms |
| Αντίσταση μόνωσης | ≥ 104MΩ | Σε ονομαστική τάση |
| ΤΣΚ | 0 ± 30 ppm/°C | -55 °C έως +125 °C |
| ρεύμα διαρροής | < 10 nA @ 25 °C / < 100 nA @ 125 °C | Με 50 V DC |
| Τάξη ESD | Τάξη 0 HBM (JESD22-A114) | Επικεφαλής |
| Ευαισθησία στην υγρασία | MSL 1 (J-STD-020, απεριόριστη διάρκεια λειτουργίας) | Επικεφαλής |
| Σκληρότητα TID | > 100 krad ((Si) | ΚΕΠΠΑ 22900 |
| ΕΣΕ Ασυλία | Καμία διαδρομή κλεισίματος, κανένας ευαίσθητος στον SEU κόμβος | Επικεφαλής |
| Θέρμανση λειτουργίας | -55 °C έως +125 °C | Επικεφαλής |
| Θέρμανση αποθήκευσης | -65 °C έως +150 °C | Επικεφαλής |
| Ανώτατη μεταλλικοποίηση | TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au | Επικεφαλής |
| Μεταλλικοποίηση πίσω | TiW-Pt-Au, ≥1,0 μm Au (φραγμός Pt) | Επικεφαλής |
| Τύπος στερέωσης | Επενδύσεις σε ηλεκτρικό ή ηλεκτρικό ρεύμα | Επικεφαλής |
| Δυνατότητα έλξης των συρματικών δεσμών | > 6 gf (25 μm Au καλώδιο) | Επικεφαλής |
| Μέγεθος τσιπ | 00,50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) | Επικεφαλής |
| RoHS | Συμμόρφωση (ΕΕ 2015/863) | Επικεφαλής |
