HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ব্র্যান্ডের নাম: | Hoan |
| মডেল নম্বর: | HACC101S50V100 |
| MOQ: | 10 টুকরা |
| পেমেন্ট শর্তাবলী: | এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি |
পণ্য সংজ্ঞাঃHACC101S50V100 একটি বিকিরণ-শক্ত একক স্তর ধাতু-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী (এমওএস) ক্যাপাসিটর যা 100 পিএফ ± 10% ক্যাপাসিট্যান্স এবং 50 ভি ডিসি রেটিং সহ।এটি উচ্চ প্রতিরোধের ভাসমান-জোন সিলিকন (> 1000 Ω · cm) এর উপর নির্মিত হয় 300 nm তাপীয় SiO2ডায়েলেক্ট্রিক এবং একটি TiW-Au শীর্ষ / TiW-Pt-Au ব্যাকসাইড ধাতবীকরণ সিস্টেম, একটি 0.50 × 0.50 × 0.15 মিমি তারের-বন্ডেবল চিপ। এটি মহাকাশ, উপগ্রহ,এবং অন্যান্য রেডিয়েশনের সংস্পর্শে থাকা আরএফ এবং অ্যানালগ সার্কিটগুলির জন্য কম ফেজ গোলমাল এবং সঠিক সিমুলেশন মডেল প্রয়োজন.
| প্যারামিটার | মূল্য | শর্ত |
| ক্যাপাসিটি | 100 pF ±10% (±5% উপলব্ধ) | ১ মেগাহার্টজ, ১.০ ভিআরএমএস |
| নামমাত্র ডিসি ভোল্টেজ | ৫০ ভোল্ট | অবিচ্ছিন্ন |
| ডাইলেক্ট্রিক প্রতিরোধ ভোল্টেজ | > ১২৫ ভি ডিসি (২৫০% নামমাত্র) | ১ মিনিট, ২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস |
| ডায়েলেক্ট্রিক টাইপ | তাপীয় SiO2, ৩০০ এনএম, অদম্য | 🙏 |
| সাবস্ট্র্যাট | ফ্লোটিং জোন Si, >1000 Ω·cm | 🙏 |
| অন্তর্নিহিত চিপ ESL | <০.০৫ এনএইচ | ডি-ইম্বডেড |
| Q ফ্যাক্টর | >2000 @ 1 MHz / >300 @ 1 GHz | সাধারণ |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | সাধারণ |
| ছড়িয়ে পড়ার কারণ | ≤ ২.৫% @ ১ মেগাহার্টজ | 1.0 ভিআরএম |
| আইসোলেশন প্রতিরোধের | ≥104MΩ | নামমাত্র ভোল্টেজে |
| টিসিসি | 0 ±30 পিপিএম/°C | −৫৫ °সি থেকে +১২৫ °সি |
| ফুটো প্রবাহ | <10 nA @ 25 °C / <100 nA @ 125 °C | 50 ভি ডিসিতে |
| ইএসডি ক্লাস | ক্লাস ০ HBM (JESD22-A114) | 🙏 |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা | MSL 1 (J-STD-020, সীমাহীন মেঝে জীবন) | 🙏 |
| টিআইডি কঠোরতা | >100 ক্রাড ((Si) | ESCC ২২৯০০ |
| এসইই অনাক্রম্যতা | কোন লক-আপ পাথ নেই, কোন SEU- সংবেদনশীল নোড নেই | 🙏 |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | −৫৫ °সি থেকে +১২৫ °সি | 🙏 |
| সংরক্ষণ তাপমাত্রা | −৬৫ °সি থেকে +১৫০ °সি | 🙏 |
| শীর্ষ ধাতবীকরণ | TiW-Au, ≥2.5 μm Au | 🙏 |
| ব্যাকসাইড মেটালাইজেশন | TiW-Pt-Au, ≥1.0 μm Au (Pt বাধা) | 🙏 |
| মাউন্ট টাইপ | ওয়্যার বন্ডেবল / AuSn ইউটেটিক বা পরিবাহী ইপোক্সি ডাই অ্যাটেচ | 🙏 |
| ওয়্যার বন্ড টান শক্তি | >6 gf (25 μm Au wire) | 🙏 |
| চিপ মাত্রা | 0.৫০ × ০.৫০ × ০.১৫ মিমি (২০ × ২০ × ৬ মিলিমিটার) | 🙏 |
| RoHS | সম্মতি (ইইউ ২০১৫/৮৬৩) | 🙏 |
