Strahlungsgehärteter MOS-Kondensator 50V Einfachschicht 100 pF Kondensatorchip für Weltraumsatellitensysteme

Strahlungsgehärteter MOS-Kondensator HACC101S50V100 100 pF 50 V Einzelschichtchip für Raumfahrt- und Satellitensysteme

Produktdefinition:Der HACC101S50V100 ist ein strahlungsgehärteter Einlagekondensator (MOS) mit einer Kapazität von 100 pF ± 10% und einer Leistung von 50 V Gleichstrom.Es besteht aus hochresistivem Float-Zone-Silizium (> 1000 Ω·cm) mit einer thermischen SiO-Gehalt von 300 nm₂dielektrisch und mit einem TiW-Au-Top/TiW-Pt-Au-Backside-Metallisierungssystem in einem 0,50 × 0,50 × 0,15 mm drahtgebundenen Chip.und andere strahlungsbelasteten HF- und analogen Schaltkreise, die ebenfalls geringes Phasengeräusch und genaue Simulationsmodelle erfordern.

Auf einen Blick

• Kapazität: 100 pF ±10% (Toleranz von ±5%)
• Nennspannung Gleichspannung: 50 V
• Gesamt ionisierende Dosis: > 100 krad ((Si), ESCC 22900 Prüfnorm
• Innerer Chip ESL: < 0,05 nH
• Dielektrisch: thermisches SiO₂, 300 nm, amorph (keine piezoelektrische Reaktion)
• Chipgröße: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, drahtgebundene / eutextische Verkleidung

Spezifikationen (T = 25 °C, sofern nicht angegeben)

Typische Anwendungen

• Satellitentransponder-, TT&C- und Nutzlastnetze zur Gleichspannungsblockade/Umgehung
• Tankkreise für Raumfahrzeugoszillatoren (VCO) und PLL-Schleiffilter
• Abkopplung von Modulverzerrungen mit Phasenarray in Strahlungsumgebungen
• Phasen-Low-Noise-Synthesizer und Referenzketten
• Luft- und Raumfahrt- und hochzuverlässige HF-Frontends, für die validierte Simulationsmodelle erforderlich sind