Capacitori MOS resistenti alle radiazioni 50V mono strato 100 pF Capacitore chip per sistemi satellitari spaziali

Capacitore MOS con radiazioni HACC101S50V100 100 pF 50 V chip a singolo strato per sistemi spaziali e satellitari

Definizione del prodotto:Il condensatore HACC101S50V100 è un condensatore monolivello metallo-ossido-semiconduttore (MOS) resistente alle radiazioni con una capacità di 100 pF ± 10% e una potenza nominale di 50 V di corrente continua.È costruito su silicio a zona galleggiante ad alta resistività (> 1000 Ω·cm) con un SiO termico di 300 nm₂un sistema dielettrico e un sistema di metallizzazione TiW-Au top/TiW-Pt-Au backside, in un chip con legame con filo di 0,50 × 0,50 × 0,15 mm.e altri circuiti RF e analoghi esposti a radiazioni che richiedono anche bassi livelli di rumore di fase e modelli di simulazione precisi.

In un'occhiata

• Capacità: 100 pF ±10% (tolleranza disponibile ±5%)
• Tensione nominale in CC: 50 V
• Dose ionizzante totale: > 100 krad ((Si), norma di prova ESCC 22900
• ESL del chip intrinseco: < 0,05 nH
• Dielettrico: SiO termico₂, 300 nm, amorfo (senza risposta piezoelettrica)
• Dimensioni del chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, attaccamento a striscio eutectico

Specifiche (T = 25 °C, salvo indicazione)

Applicazioni tipiche

• Trasponder satellitare, reti TT&C e reti di bypass/blocco del carico utile in corrente continua
• Circuiti di serbatoi per oscillatori di veicoli spaziali (VCO) e filtri a ciclo PLL
• Disaggregazione del bias del modulo in matrice di fasi in ambienti di radiazione
• Fabbricazione a partire da prodotti della voce 8528
• Aerospaziale e frontali RF ad alta affidabilità che richiedono modelli di simulazione convalidati