รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

เครื่องปรับความแข็ง MOS ที่แข็งแรงต่อการรังสี 50V ชิปปรับความแข็งชั้นเดียว 100 pF สําหรับระบบดาวเทียมอวกาศ

Name: เครื่องปรับความแข็ง MOS ที่แข็งแรงต่อการรังสี 50V ชิปปรับความแข็งชั้นเดียว 100 pF สําหรับระบบดาวเทียมอวกาศ
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC101S50V100
Price: ต่อรองได้ USD
Availability: InStock

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC101S50V100
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	L/C,D/A,D/P,T/T

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015, RoHS

แรงดึงของพันธะลวด:

>6 gf (สาย Au 25 um)

อุณหภูมิในการทำงาน:

-55 องศาเซลเซียส ถึง +125 องศาเซลเซียส

อุณหภูมิในการจัดเก็บ:

-65 องศาเซลเซียส ถึง +150 องศาเซลเซียส

ขนาดชิป:

0.50 x 0.50 x 0.15 มม. (20 x 20 x 6 ล้าน)

เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS:

เป็นไปตามข้อกำหนด (EU 2015/863)

ตัวเลือกการปรับแต่ง:

ความจุไฟฟ้า 10-1000 pF, ความคลาดเคลื่อน +/-5%, แม่พิมพ์ทรงสี่เหลี่ยมได้ถึง 4:1, อิเล็กโทรดมีขอบ, ด้า

เน้น:

เครื่องประปา MOS ที่แข็งแรงต่อการรังสี 50V

ชิปตัวประกอบความเข้มข้นชั้นเดียว 100 pF

เครื่องประปา MOS สําหรับระบบดาวเทียมอวกาศ

คําอธิบายสินค้า

ชิปชั้นเดียว 50 วอลต์สําหรับระบบอวกาศและดาวเทียม

การนิยามสินค้า:HACC101S50V100 เป็นตัวประกอบความแข็งแบบโลหะ-ออกไซด์-ครึ่งประจุ (MOS) แบบชั้นเดียวที่แข็งแรงต่อการรังสี ด้วยความจุ 100 pF ± 10% และการจัดอันดับ 50 V DCมันถูกสร้างขึ้นบนซิลิคอนโซนพลอยความต้านทานสูง (> 1000 Ω · cm) ด้วยความร้อน 300 nm SiO₂ระบบโลหะเทียมด้านบน TiW-Au / TiW-Pt-Au ในชิปที่สามารถเชื่อมต่อสาย 0.50 × 0.50 × 0.15 มิลลิเมตรและวงจร RF และวงจรแบบแอนาล็อกที่เผชิญกับรังสีอื่น ๆ ที่ยังต้องการเสียงระยะต่ําและแบบจําลองที่แม่นยํา.

ภาพ ภาพ ภาพ ภาพ

ความจุ: 100 pF ± 10% (ความอนุญาต ± 5% สามารถใช้ได้)
ความดันเฉพาะแบบ DC: 50 V
ค่ายาประกอบประกอบประกอบประกอบประกอบประกอบประกอบ
ESL ชิปภายใน: < 0.05 nH
ไดเอเลคทริก: SiO ความร้อน₂, 300 nm, อัมโฟฟ (ไม่มีการตอบสนองแบบไฟฟ้า)
ขนาดชิป: 0.50 × 0.50 × 0.15 มิลลิเมตร, สายเชื่อมต่อ / ยูเทคติก

รายละเอียด (T = 25 °C เว้นแต่ระบุไว้)

ปริมาตร	มูลค่า	สภาพ
ความจุ	100 pF ± 10% (± 5% สามารถใช้ได้)	1 MHz 1.0 Vrms
ความดันแบบเรียงลําดับ DC	50 วอลต์	ต่อเนื่อง
ความดันทนทานแบบแบบดียิเลคทริก	> 125 V DC (250% จํานวน)	1 นาที 25 °C
ประเภทไฟฟ้าตัด	SiO ความร้อน₂, 300 nm, อัมโฟม	รางวัล
สับสราต	โซนลอย Si > 1000 Ω·cm	รางวัล
ชิปภายใน ESL	< 0.05 nH	กําจัดการจําแนก
ปัจจัย Q	> 2000 @ 1 MHz / > 300 @ 1 GHz	แบบปกติ
ESR @ 1 GHz	< 0.1 Ω	แบบปกติ
ปัจจัยการระบาย	≤2.5% @ 1 MHz	1.0 Vrms
ความต้านทานต่อการปิด	≥10⁴MΩ	ในระดับความดัน
TCC	0 ± 30 ppm/°C	-55 °C ถึง +125 °C
กระแสรั่ว	< 10 nA @ 25 °C / < 100 nA @ 125 °C	ในระดับ 50 V DC
ประเภท ESD	ประเภท 0 HBM (JESD22-A114)	รางวัล
ความรู้สึกต่อความชื้น	MSL 1 (J-STD-020, อายุการใช้งานพื้นไม่จํากัด)	รางวัล
ความแข็ง TID	> 100 krad ((Si)	ESCC 22900
SEE อิสระ	ไม่มีเส้นทางล็อค-อัพ ไม่มีหน่วยที่มีความรู้สึกต่อ SEU	รางวัล
อุณหภูมิการทํางาน	-55 °C ถึง +125 °C	รางวัล
อุณหภูมิในการเก็บ	-65 °C ถึง +150 °C	รางวัล
โลหะสูงสุด	TiW-Au ≥2.5 μm Au	รางวัล
การทําโลหะด้านหลัง	TiW-Pt-Au, ≥1.0 μm Au (ป้องกัน Pt)	รางวัล
ประเภทการติดตั้ง	สายเชื่อมต่อ / AuSn ยูเทคติกหรือการนํา epoxy die attach	รางวัล
ความแข็งแรงในการดึงของสายใย	> 6 gf (25 μm Au สาย)	รางวัล
ขนาดชิป	0.50 × 0.50 × 0.15 มิลลิเมตร (20 × 20 × 6 มิล)	รางวัล
RoHS	รายละเอียดการตรวจสอบ	รางวัล

การใช้งานทั่วไป

เครือข่ายส่งสัญญาณดาวเทียม, TT&C และเครือข่ายบล็อก DC/ไบปาส
วงจรถังออสไซเลเตอร์เครื่องบินอวกาศ (VCO) และกรองลุ้น PLL
การแยกแยกโมดูลเบี้ยสแบบเรียงระยะในสภาพแวดล้อมรังสี
เครื่องสังเคราะห์เสียงระดับระยะต่ํา และโซ่อ้างอิง
Aerospace และความน่าเชื่อถือสูง RF หน้าที่ต้องการแบบจําลองที่ผ่านการรับรอง

เครื่องปรับความแข็ง MOS ที่แข็งแรงต่อการรังสี 50V ชิปปรับความแข็งชั้นเดียว 100 pF สําหรับระบบดาวเทียมอวกาศ

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS