HongAn Microwave Co., Ltd.
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| 브랜드 이름: | Hoan |
| 모델 번호: | HACC101S50V100 |
| MOQ: | 10개 |
| 지불 조건: | L/C,D/A,D/P,T/T |
제품 정의:HACC101S50V100는 100pF ±10% 용량과 50V DC 등급을 가진 방사능 강화 단층 금속 산화물 반도체 (MOS) 콘덴시터입니다.그것은 300nm 열 SiO를 가진 높은 저항성 부동 영역 실리콘 (> 1000 Ω · cm) 에 구축되었습니다.2다이엘렉트릭 및 TiW-Au 상위 / TiW-Pt-Au 뒷면 금속화 시스템, 0.50 × 0.50 × 0.15 mm 와이어 결합 칩. 우주, 위성,그리고 다른 방사선에 노출된 RF 및 아날로그 회로, 또한 낮은 단계 소음과 정확한 시뮬레이션 모델이 필요합니다..
| 매개 변수 | 가치 | 조건 |
| 용량 | 100pF ±10% (±5% 사용 가능) | 1MHz, 1.0Vrms |
| 정류압 등급 | 50V | 연속 |
| 다이 일렉트릭 저항 전압 | > 125V DC (250% 등급) | 1분, 25 °C |
| 다이렉트릭 타입 | 열성 SiO2, 300 nm, 무형 | ∙ |
| 기판 | 떠있는 구역 Si, > 1000 Ω·cm | ∙ |
| 내부 칩 ESL | <0.05 nH | 배열되지 않은 것 |
| Q 요인 | >2000 @ 1 MHz / >300 @ 1 GHz | 전형적 |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | 전형적 |
| 분산 요인 | ≤2.5% @ 1MHz | 1.0 Vrms |
| 단열 저항 | ≥104MΩ | 가등전압에서 |
| TCC | 0 ±30ppm/°C | -55 °C ~ +125 °C |
| 누출 전류 | <10 nA @ 25 °C / <100 nA @ 125 °C | 50V DC |
| ESD 클래스 | HBM 0급 (JESD22-A114) | ∙ |
| 습도에 민감함 | MSL 1 (J-STD-020, 일정한 바닥 수명) | ∙ |
| TID 단단함 | >100 krad ((Si) | ESCC 22900 |
| SEE 면죄 | 잠금 경로, SEU 민감 노드 | ∙ |
| 작동 온도 | -55 °C ~ +125 °C | ∙ |
| 저장 온도 | -65 °C ~ +150 °C | ∙ |
| 최고 금속화 | TiW-Au, ≥2.5μm Au | ∙ |
| 뒷면 금속화 | TiW-Pt-Au, ≥1.0μm Au (Pt 장벽) | ∙ |
| 장착형 | 유텍스틱 또는 전도성 에포시 디어 붙여넣기 | ∙ |
| 와이어 본드 당기력 | > 6gf (25μm Au 와이어) | ∙ |
| 칩 크기 | 0.50 × 0.50 × 0.15 mm (20 × 20 × 6 밀리) | ∙ |
| RoHS | 준수 (EU 2015/863) | ∙ |
